2018 Fiscal Year Annual Research Report
Electronic states for magnetization switching behavior of magnetic tunneling junction with perpendicular magnetic anisotropy
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15K05978
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| Research Institution | Gunma University |
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Principal Investigator |
櫻井 浩 群馬大学, 大学院理工学府, 教授 (80251122)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | スピントロニクス / 磁気スイッチング / 軌道磁気モーメント / スピン磁気モーメント / 磁気コンプトン散乱 / 磁気量子数 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は垂直磁気異方性を有するCoFeB/MgOなど磁気トンネル接合膜の磁気スイッチングに寄与する電子状態を明らかにすることである。具体的には
①磁気スイッチングにおけるスピン磁気モーメントと軌道磁気モーメント寄与の解明
②スピン磁気モーメント・軌道磁気モーメントの磁気スイッチングとそれに寄与する波動関数の対称性との関連の解明
について研究を行う。
平成27年度では熱処理による固体エピタキシーによって結晶成長制御したCoFeB(002)/MgO(002)多層膜、アモルファス層CoFeB単層膜の比較評価を行った。平成28年度では新たにアモルファスCoFeB/MgO(002)多層膜、結晶化したCoFeB(110)単層膜を作製し、４つの試料を比較してCoFeB/MgO界面の効果、CoFeB層の結晶化の効果を比較することとした。平成29年度はTa/CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合多層膜、Ta/CoFeB多層膜を作製した。これらの試料についてスピン選択磁化(Spin Selective Magnetic Hysteresis:SSMH)曲線、軌道選択磁化（Orbital selective Magnetic Hysteresis: OSMH)曲線を測定した。さらに磁気量子数選択的SSMH曲線を求めた。その結果、CoFeB/MgO界面あるいはCoFeB/Ta界面においてスピン磁気モーメントと軌道磁気モーメントの磁化反転挙動は異なっていた。平成30年度においては、新たにCoFeB/MgO界面における磁気スイッチング挙動の温度変化等を測定した。その結果、軌道磁気モーメントおよび磁気量子数|m|=2の対称性を有する電子軌道が温度変化に敏感であることがわかった。
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[Presentation] 磁気コンプトンプロファイルによるLixMn2O4の電子構造,2019
Author(s)
鈴木宏輔, H. Hafiz, B. Barbiellini, 折笠有基, S. Kaprzyk, 辻成希, 山本健太郎, 寺阪歩, 星和志, 内本喜晴, 櫻井吉晴, A. Bansil
Organizer
第32回日本放射光学会年会・放射光合同シンポジウム
Invited
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[Presentation] Ferrimagnetic Anomaly in LixMn2O4 Positive Electrode Material Observed by Magnetic Compton Scattering2018
Author(s)
K. Suzuki, H. Hafiz, B. Bernardo, Y. Orikasa, S. Kaprzyk, N. Tsuji, K. Yamamoto, A. Terasaka, K. Hoshi, Y. Uchimoto, Y. Sakurai, A. Bansil and H. Sakurai
Organizer
5th International Symposium of Gunma Univeristy Medical Innovation and 9th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
Int'l Joint Research
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