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2015 Fiscal Year Research-status Report

理想的ヘテロナノ界面を用いた界面伝導の物理に基づくフォノン・電子伝導の独立操作

Research Project

Project/Area Number 15K13276
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

中村 芳明  大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (60345105)

Project Period (FY) 2015-04-01 – 2018-03-31
Keywordsエピタキシー / Si / 熱電材料 / ナノドット
Outline of Annual Research Achievements

本研究では、ヘテロ界面における散乱機構が電子とフォノンにおいて本質的に異なることに着眼している。今まで、我々独自の極小GeナノドットをSi中に埋め込むと、フォノンは、Ge/Si界面で散乱されるものの、電子はその界面で散乱されにくいことを見出した。それは、Ge/Si界面でのバンドオフセットが小さいためであると考えられる。ただ、その界面では、波数保存則が成り立っていないため、ある程度電子は散乱されてしまう。そこで、SiGe/Si界面に注目した。そこでは、SiGeの組成比を制御することで、波数保存も成り立つような界面を形成することができるからである。そこで、本年度は、我々独自の極小ナノドット形成法を応用し、極小かつ超高密度のSiGeナノドットをSi上にエピタキシャル成長させる技術の開発を行った。
まずSi上に極薄Si酸化膜を形成し、SiとGeを同時に蒸着してナノ開口を形成する。その後、SiとGeを任意の蒸着速度比で蒸着してSiGeナノドット形成を試みる。ナノ開口上にSiとGeがトラップされていれば、ナノ開口を通じて、Siとエピタキシャル成長可能になる。上記手法でSiGeナノドットを形成した後、RHEED観察を行った。その結果、SiGeナノドットをSi基板上にエピタキシャル成長することに成功したことがわかった。現在、電子線蒸着を用いてSiを蒸着しているが、蒸着速度比を安定させるために、今後、高温クヌーセンセルを用いた蒸着装置に改造する必要があることがわかった。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

今年度の本研究で、極薄Si酸化膜を用いて、SiGeナノドットをSi基板上にエピタキシャル成長する技術の開発に成功したため。若干、Siの蒸着速度が安定しないのが問題点であるため、今後は、この問題をクリアできるかどうかに研究の進展はかかってくると思われる。

Strategy for Future Research Activity

Siの蒸着を現在保有するクヌーセンセルを用いるか、手作りのSi蒸着源を開発するか、どちらかの手段を講じることで、適切なSiGeの組成のナノドットを形成することが必要である。それができれば、物性評価技術は保有しているため、スムーズに研究がすすめられると考えられる。
そのため、装置開発をメインに着手する必要がある。

  • Research Products

    (24 results)

All 2016 2015

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results,  Acknowledgement Compliant: 3 results,  Open Access: 2 results) Presentation (21 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique2016

    • Author(s)
      Tmohiro Ueda, Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, and Yoshiaki Nakamura
    • Journal Title

      Journal of Electronic Materials

      Volume: 45 Pages: 1914-1920

    • DOI

      10.1007/s11664-015-4294-3

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials2016

    • Author(s)
      Shuto Yamasaka, Kentaro Watanabe, Shunya Sakane, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Kentarou Sawano, and Yoshiaki Nakamura
    • Journal Title

      Scientific Reports

      Volume: 6 Pages: 22838-1-8

    • DOI

      10.1038/srep22838

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials2015

    • Author(s)
      Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, and Akira Sakai
    • Journal Title

      Scientific Reports

      Volume: 5 Pages: 14490-1-9

    • DOI

      10.1038/srep14490

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上2016

    • Author(s)
      山阪 司祐人、渡辺 健太郎、澤野 憲太郎、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会、20p-W323-12
    • Place of Presentation
      東京工業大学、大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 汎用性を向上した2ω法による熱電薄膜の熱伝導率測定2016

    • Author(s)
      奥畑 亮、渡辺 健太郎、池内 賢朗、石田 明広、中村 芳明
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会、20p-W323-13
    • Place of Presentation
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] Ge核/Si上へのFe3O4-δナノドットエピタキシャル成長におけるGe核サイズの効果2016

    • Author(s)
      石部 貴史、前田 佳輝、松井 秀紀、渡辺 健太郎、成瀬 延康、中村 芳明
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会、21p-H111-16
    • Place of Presentation
      東京工業大学、大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] Si基板上への鉄酸化物ナノドットの固相エピタキシャル成長とその電気特性評価2016

    • Author(s)
      前田 佳輝、黒川 翼、石部 貴史、渡辺 健太郎、成瀬 延康、中村 芳明
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会、21p-H111-17
    • Place of Presentation
      東京工業大学、大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures2015

    • Author(s)
      Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Masayuki Isogawa, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai and Yoshiaki Nakamura
    • Organizer
      23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, S4-21
    • Place of Presentation
      Hilton Niseko Villege(北海道虻田郡ニセコ町)
    • Year and Date
      2015-12-10 – 2015-12-12
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coating Ge nuclei2015

    • Author(s)
      Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai and Yoshiaki Nakamura
    • Organizer
      23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, S4-36
    • Place of Presentation
      Hilton Niseko Villege(北海道虻田郡ニセコ町)
    • Year and Date
      2015-12-10 – 2015-12-12
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ナノドットを用いた熱伝導率の低減とSi系熱電材料開発2015

    • Author(s)
      中村芳明
    • Organizer
      コロイド先端技術講座II:4th E-Colloid先端エレクトロニクスのためのコロイド・界面化学次世代サーマルマネジメント技術が地球を救うーコロイド・界面化学・ソフトマターの欠かせない役割ー
    • Place of Presentation
      日本化学会館7Fホール(東京都千代田区)
    • Year and Date
      2015-12-04 – 2015-12-04
    • Invited
  • [Presentation] Thermal conductivity reduction in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots2015

    • Author(s)
      Yoshiaki Nakamura
    • Organizer
      IUMRS-ICAM2015
    • Place of Presentation
      ICC Jeju, Korea
    • Year and Date
      2015-10-29 – 2015-10-29
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 斜め蒸着法を用いた超高密度エピタキシャル酸化鉄ナノドットの作製と抵抗スイッチング特性評価2015

    • Author(s)
      渡辺 健太郎、松井 秀紀、中本 悠太、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
    • Organizer
      日本材料学会 第1回材料WEEK材料シンポジウムワークショップ
    • Place of Presentation
      京都テルサ (京都府京都市)
    • Year and Date
      2015-10-13 – 2015-10-17
  • [Presentation] β-FeSi2ナノドット/Si層積層構造の作製と熱電特性評価2015

    • Author(s)
      坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明
    • Organizer
      日本材料学会 第1回材料WEEK材料シンポジウムワークショップ
    • Place of Presentation
      京都テルサ(京都府京都市)
    • Year and Date
      2015-10-13 – 2015-10-17
  • [Presentation] 溶液成長ZnO単結晶ナノロッド:成長時の格子間水素ドナーの取り込みと残留キャリア濃度分布2015

    • Author(s)
      渡辺 健太郎,中村 芳明
    • Organizer
      応用物理学会関西支部平成27年度第2回講演会
    • Place of Presentation
      大阪大学中之島センター (大阪府大阪市)
    • Year and Date
      2015-09-30 – 2015-09-30
  • [Presentation] Geナノドット/Si層エピタキシャル積層構造における熱伝導・電気伝導特性の独立制御2015

    • Author(s)
      山阪司祐人、渡辺健太郎、中村芳明
    • Organizer
      応用物理学会関西支部平成27年度第2回講演会
    • Place of Presentation
      大阪大学中之島センター(大阪府大阪市)
    • Year and Date
      2015-09-30 – 2015-09-30
  • [Presentation] β-FeSi2ナノドット/Si層エピタキシャル積層構造の作製とその構造及び熱電特性評価2015

    • Author(s)
      坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明
    • Organizer
      応用物理学会関西支部平成27年度第2回講演会
    • Place of Presentation
      大阪大学中之島センター (大阪府大阪市)
    • Year and Date
      2015-09-30 – 2015-09-30
  • [Presentation] Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性2015

    • Author(s)
      渡辺 健太郎、前田 佳輝、中本 悠太、松井 秀紀、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
    • Organizer
      2015年秋季第76回応用物理学会、13p-2H-6
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性2015

    • Author(s)
      前田 佳輝、渡辺 健太郎、中本 悠太、松井 秀紀、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
    • Organizer
      2015年秋季第76回応用物理学会、13p-2H-7
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御2015

    • Author(s)
      山阪 司祐人、渡辺 健太郎、澤野憲太郎、竹内正太郎、酒井朗、中村芳明
    • Organizer
      2015年秋季第76回応用物理学会、13p-2T-5
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因2015

    • Author(s)
      坂根 駿也、渡辺 健太郎、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
    • Organizer
      2015年秋季第76回応用物理学会、13p-2T-6
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 不純物添加層を有するSiナノドット薄膜の形成とその熱電特性2015

    • Author(s)
      上田智広、五十川雅之、山阪司祐人、竹内正太郎、酒井朗、中村芳明
    • Organizer
      第十二回日本熱電学会学術講演会(TSJ2015)
    • Place of Presentation
      九州大学(福岡県春日市)
    • Year and Date
      2015-09-07 – 2015-09-08
  • [Presentation] β-FeSi2ナノドット積層構造の作製と熱電特性2015

    • Author(s)
      坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明
    • Organizer
      第16回シリサイド系半導体・夏の学校
    • Place of Presentation
      九重共同研修所&九大山の家(大分県玖珠郡九重町)
    • Year and Date
      2015-07-25 – 2015-07-26
  • [Presentation] Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si2015

    • Author(s)
      Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Shotaro Takeuchi, and Akira Sakai
    • Organizer
      34th Annual International Conference on Thermoelectrics & 13th European Conference on Termoelectrics (ICT&ECT2015), PA175
    • Place of Presentation
      International Congress Center, Dresden, Germany
    • Year and Date
      2015-06-28 – 2015-07-02
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots2015

    • Author(s)
      Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Masayuki Isogawa, Shuto Yamasaka, Shotaro Takeuchi, and Akira Sakai
    • Organizer
      34th Annual International Conference on Thermoelectrics & 13th European Conference on Termoelectrics (ICT&ECT2015), PA175
    • Place of Presentation
      International Congress Center, Dresden, Germany
    • Year and Date
      2015-06-28 – 2015-07-02
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2017-01-06  

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