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2015 Fiscal Year Research-status Report

量子干渉を用いたフォノン系テラヘルツ光源の開拓

Research Project

Project/Area Number 15K13345
Research InstitutionChiba University

Principal Investigator

石谷 善博  千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60291481)

Project Period (FY) 2015-04-01 – 2018-03-31
Keywords量子干渉 / 縦光学フォノン / 金属半導体複合構造 / テラヘルツ波
Outline of Annual Research Achievements

平成27年度は、金属半導体複合構造によるLOフォノン共鳴輻射の可能性、および複数種LOフォノンモードと電子系連続準位(価電子帯間遷移による)の結合によるLOフォノンエネルギー領域での電磁誘起透明化の可能性について検討を進めた。
金属半導体複合構造によるLOフォノン共鳴輻射の可能性では、金属/GaNでの界面分極電荷による電気双極子形成の確認に続き、より低エネルギー化を目指して金属/GaAs構造の検討を行った。またエネルギーの選択自由度を上げるため、n型GaAsを用いてLOフォノン‐プラズモン結合(LOPC)モードを用いた共鳴エネルギー制御を試みた。その結果、ドーピング密度の変化に伴うLOPCモード共鳴エネルギー変化に整合した光吸収エネルギーの変化を観測し、この吸収の偏光選択性も確認された。
複数種LOフォノンモードと電子系連続準位の結合による量子干渉では、p型GaInPを用いて検討が行われた。その結果、InP様LOフォノンとGaP様LOフォノンが強く結合し、これらの中間エネルギー域で破壊的量子干渉が起こり、その外側のエネルギー領域で強めあう量子干渉が起こっていることが実証された。また量子干渉を特徴づけるLOフォノン‐価電子帯間遷移および価電子帯間遷移を介した2種LOフォノンの結合パラメータが求められ、電磁誘起透明化につながる量子干渉の物理過程の解明が進んだ。この実験結果を基に、更に高密度p型ドーピングを行った場合の光吸収スペクトルがシミュレーションされた。量子干渉の強度については、それを決める物理パラメータについて、複数種LOモード間の結合定数の決定要因の理論的解明がなされた。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

p型GaInPを利用した量子干渉効果については、2種のLOフォノンモードのみでなく、自然超格子による3種のLOフォノンモードを取り入れた解析が行われ、実験データから自然超格子の形成が進んだ場合の量子干渉の様子について予測がなされるなど、量子干渉に関する研究はおおむね予定通り進んだ。しかし、LOフォノンエネルギー位置での輻射については、GaAsにおいて、n型ドープをしたときの共鳴吸収エネルギーの制御性が実証されるなどの進展はあったが、輻射を観測するには至らなかった。その点で、やや遅れていると判断した。

Strategy for Future Research Activity

平成27年度の研究で遅れのあったLOフォノン共鳴での輻射の観測を行う。これは、高強度レーザを用いたラマン効果によるLOフォノンの生成および温度上昇によるLOフォノンの励起により行う。検知器の感度の高い波数領域を当面の対象とし、AlNなどワイドギャップ半導体で電子‐フォノン相互作用の強いものを用いる。更に半導体超格子構造などを用いたフォノン局在効果による輻射効率の上昇について検討する。
量子干渉では干渉条件の制御性、GaNなど電子‐フォノンの結合力の強い材料系の検討を進める。前者では、バンド間励起を行う光の入射にによる光吸収スペクトルの制御性の解明を進める。後者では、MgドープGaNについて、測定温度を室温から上昇させ、正孔密度を上げることによる量子干渉状態の変化、金属ストライプ形成に伴う分極の対称性の変化によるE1モードとA1モードの混合などについて検討を進める。これにより、本来同じ振動面に複数種のLOモードを持たない2元系ウルツ鉱結晶においても電磁誘起透明化を可能とするLOフォノン条件が成立する可能性がある。可能な限り単純な材料によりフォノン系電磁誘起透明化を実現することを目指す。

Causes of Carryover

平成27年度に使用予定であった論文投稿費用について、論文の提出が遅れたため、次年度使用額が生じた

Expenditure Plan for Carryover Budget

既に論文は投稿済みであり、平成28年度に掲載費用として使用する予定である。

  • Research Products

    (11 results)

All 2016 2015 Other

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (9 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2016

    • Author(s)
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FH02-1,6

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.05FH02

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] P型Ga0.5In0.5Pにおける複数種LO準位と電子遷移系の量子干渉効果2016

    • Author(s)
      坂本裕則、馬 ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 赤外反射分光によるGaN薄膜の電子特性深さ分解評価手法2016

    • Author(s)
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2015

    • Author(s)
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6),
    • Place of Presentation
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
    • Year and Date
      2015-11-08 – 2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] LO フォノン-価電子帯間遷移の量子干渉におけるキャリア分布の影響2015

    • Author(s)
      坂本裕則、馬 ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 赤外反射分光による GaN の電子深さ特性評価手法2015

    • Author(s)
      條 隆明、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] Mid-infrared absorption at the LO phonon energy of metal/GaN-composite structure2015

    • Author(s)
      Y. Ishitani, K. Hatta, E. Takeuchi, B. Ma, and K. Morita
    • Organizer
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Beijin, China,
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Infrared absorption at the LO phonon energy of metal/semiconductor/metal composite materials2015

    • Author(s)
      Y. Ishitani, E. Takeuchi, B. Ma, and K. Morita
    • Organizer
      40th International Conference on Infrared and Millimeter and Terahertz Waves
    • Place of Presentation
      Hong-Kong, China
    • Year and Date
      2015-08-23 – 2015-08-28
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Interference of 2LO phonon and continuum inter-valence band transition in p-GaInP film2015

    • Author(s)
      H. Sakamoto,Y.Ishitani, K. Morita, B. Ma
    • Organizer
      40th International Conference on Infrared and Millimeter and Terahertz Waves
    • Place of Presentation
      Hong-Kong, China
    • Year and Date
      2015-08-23 – 2015-08-28
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 赤外反射分光によるGaNの電子密度深さ不均一性評価手法2015

    • Author(s)
      上條 隆明, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • Organizer
      2015年 第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • Place of Presentation
      東北大学
    • Year and Date
      2015-05-07 – 2015-05-08
  • [Remarks] 千葉大学 工学部 電気電子工学科 光エレクトロニクス研究室

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

URL: 

Published: 2017-01-06  

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