• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2015 Fiscal Year Research-status Report

ビスマス原子による2次元ハニカム格子層状物質

Research Project

Project/Area Number 15K13360
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

平山 博之  東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授 (60271582)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 中辻 寛  東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 准教授 (80311629)
Project Period (FY) 2015-04-01 – 2017-03-31
Keywordsビスマス / 超薄膜 / 走査トンネル顕微鏡 / 角度分解光電子分光
Outline of Annual Research Achievements

Si(111)√3x√3-B基板上にBi原子を蒸着した場合、Bi(110)超薄膜は40原子層以上までの極めて広い膜厚の範囲で安定に形成されること、またこれはBi(110)面内のBi原子配列の単位胞の対角線が、Si(111)√3x√3-B基板格子の単位胞の対角線に対して4:7の整合費で完全に整合するためであることを見出した。またこのためBi(110)超薄膜は、Si(111)√3x√3-B基板上では、Bi(110)単位胞格子の対角線がSi(111)√3x√3-B基板格子の対角線と界面で格子整合する6つの特異的な方位に選択的に伸びた形状を取ることを走査トンネル顕微鏡の観察とその詳細な解析により明らかにした。
さらにあいちシンクロトロンセンターの軟X線角度分解光電子分光用ラインにおいて、Si(111)√3x√3-B基板上にBi(110)超薄膜をその場で作製するための試料ゴニオを設計製作し、これをビームラインに持ち込み、Bi(110)超薄膜を作製し、その電子状態を2次元ディテクターを用いて逆格子空間内の広い領域で観察することに成功した。Si(111)√3x√3-B基板上でBi(110)超薄膜は6本の特異的な方向に伸びて成長するため、結果的に試料は6個の異なる回転ドメインを持つ。角度分解光電子分光測定では、これら6個の回転ドメインの情報が重なったものが観測されるため、その解析は単純ではないが、詳細な解析により、Si(111)√3x√3-B基板上のBi(110)超薄膜は、逆格子空間のΓ点近傍にホールポケットを持つこと、またM点近傍にはフェルミ準位を横切るDirac電子的なバンド分散関係は現われないことが見出された。
さらに詳細なバンド分散関係の情報を引き出すため、より低エネルギーの放射光を用いた光電子分光が可能な、フォトンファクトリーにおいても実験を行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

本年度は、Si(111)√3x√3-B基板上へのBi(110)超薄膜の安定成長とその起源を走査トンネル顕微鏡観察により明らかにすること、およびSi(111)√3x√3-B基板上に成長したBi(110)超薄膜の電子状態をシンクロトロン放射光施設の角度分解光電子分光ラインを利用して実験的に評価することを計画していたが、これらは全て実行でき、予定とおり結果が得られている。

Strategy for Future Research Activity

Si(111)√3x√3-B基板上に成長したBi(110)超薄膜の、膜厚に応じた電子状態の変化を、走査トンネル分光法を用いて局所的かつ系統的に評価する。またシンクロトロン放射光施設での角度分解光電子分光法による評価も継続して行い、これらを合わせて、Bi(110)超薄膜がトポロジカル絶縁体となるために必要な黒燐構造を取りえるか、あるいはバルク安定なA7構造を取るかを明らかにする。
また以上の方法に加えて、走査トンネル顕微鏡によるdI/dVマッピングを実行し、Bi(110)面内およびそのエッジ近傍での電子状態や電子散乱過程を調べ、Bi(110)超薄膜が2次元トポロジカル絶縁体として機能する可能性を検証する。

Causes of Carryover

研究代表者が予定していたフォトンファクトリーでの実験に参加できなくなり、これに関連する経費を使用しなかったため。

Expenditure Plan for Carryover Budget

繰越金額と本年度経費を合わせ、走査トンネル顕微鏡を用いた構造、電子状態評価を推進するために経費、および外部のシンクロトロン放射光施設を利用した角度光電子分光測定に関する経費及び旅費に充当する予定である。

  • Research Products

    (8 results)

All 2016 2015

All Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 1 results)

  • [Presentation] Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の偶奇性2016

    • Author(s)
      長瀬謙太郎, 藤原翼, 鈴木順也, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之
    • Organizer
      日本物理学会第71回年次大会
    • Place of Presentation
      東北学院大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] Si(111)√3×√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の電子状態 II2016

    • Author(s)
      宍倉一輝, 吉池雄作, 鈴木順也, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 伊藤孝寛, 中辻寛, 平山博之
    • Organizer
      日本物理学会第71回年次大会
    • Place of Presentation
      東北学院大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] STM, ARPESによるBi薄膜の構造と電子状態の研究2016

    • Author(s)
      平山博之、中辻寛
    • Organizer
      第11回 放射光表面科学研究部会 顕微ナノ材料科学研究会 合同シンポジウム
    • Place of Presentation
      Spring8
    • Year and Date
      2016-03-14 – 2016-03-15
    • Invited
  • [Presentation] シリコン基板上ビスマス薄膜のスピン偏極電子構造の光電子分光による解明2016

    • Author(s)
      平山博之,中辻寛,宍倉一輝,日比野浩樹,前田文彦、鈴木哲
    • Organizer
      第4回あいちシンクロトロン光センター成果報告会
    • Place of Presentation
      ミッドランドホール(名古屋)
    • Year and Date
      2016-03-09 – 2016-03-09
  • [Presentation] Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)薄膜の電子状態2016

    • Author(s)
      宍倉一輝、吉池雄作、鈴木順也、渡辺義夫、伊藤孝寛、中辻寛、平山博之
    • Organizer
      第29回日本放射光学会年会
    • Place of Presentation
      柏の葉カンファレンスセンター
    • Year and Date
      2016-01-09 – 2016-01-11
  • [Presentation] Ultra-thin Bi(110) films on Si(111)√3x√3-B substrates2015

    • Author(s)
      I. Kokubo,Y. Yoshiike, K. Shishikura, K. Nakatsuji and H. Hirayama
    • Organizer
      AVS 62nd International Symposium (AVS62)
    • Place of Presentation
      San Jose, U.S.A.
    • Year and Date
      2015-10-18 – 2015-10-23
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Si(111)√3×√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の電子状態2015

    • Author(s)
      宍倉一輝, 吉池雄作, 鈴木順也, 渡辺義夫, 伊藤孝寛, 中辻寛, 平山博之
    • Organizer
      日本物理学会2015年秋季大会
    • Place of Presentation
      関西大学
    • Year and Date
      2015-09-16 – 2015-09-19
  • [Presentation] シリコン基板上ビスマス薄膜のスピン偏極電子構造の光電子分光による解明2015

    • Author(s)
      平山博之,中辻寛,宍倉一輝,日比野浩樹,前田文彦
    • Organizer
      第3回あいちシンクロトロン光センター成果報告会
    • Place of Presentation
      あいち産業科学技術総合センター
    • Year and Date
      2015-06-08 – 2015-06-08

URL: 

Published: 2017-01-06  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi