2015 Fiscal Year Research-status Report
気相・気液界面反応を用いる高品質錯体πナノシートの合成
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15K13654
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
西原 寛 東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授 (70156090)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | πナノシート / 界面反応 / 錯体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
平成27年度は高品質錯体πナノシートを二相界面合成法、すなわち有機溶液―水溶液の液液界面、またはガス（アルゴンなど）―水溶液の気液界面、および高真空下で金属と配位子を蒸発させ、固体基板表面に凝縮させる気固界面の3種類の方法で合成した。液液界面を用いる場合では、金属イオンを水層に、有機配位子を有機層に溶解して、それらの層界面でゆっくり錯形成を促すことで、二次元に錯体構造が拡張した多層からかなるマイクロメートル厚のシート状物質を合成することができた。気液界面を用いる場合は、有機配位子を微量、含金属イオン水溶液上に置くことによって、単層―数層からなるナノメートル厚のシート状物質が合成することができた。気固界面での反応も同様に行い、不純物の少ないCONASHが合成できた。これらの新規CONASH については種々の分光化学的測定や元素分析により同定を行い、TEM、SEMによる観察、超薄膜とのデータ比較に有用なXPSやAES、粉末X線回折の測定を行った。またAFMを用いてモルフォロジーや原子配列構造を解析した。またレドックス特性を電気化学的に調べ、その結果に基づいて、適切な酸化還元剤を用いる化学的処理により異なる酸化状態を厳密に制御したCONASHを合成した。合わせて、反応条件を厳密に制御することによって、これまでに報告した強電子相関系CONASHを含めて、数百マイクロメートル平方の大きさを持つ二次元結晶CONASHを作製した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
界面反応を用い目的とする薄膜材料の合成に成功している。現在高真空STMなどで構造確認を行っている。
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| Strategy for Future Research Activity |
構造確認を終了後、真空蒸着をしデバイスへの利用を行う。特に半導体工学との融合によりFETを作成し、ドライな条件下での電気物性を評価し、デバイス作製へ展開する。
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| Causes of Carryover |
当面の目標である物質の合成までは進んで、高真空STMをはじめとした構造確認を行っているところである。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
平成27年度までに初期目的とする化合物群の合成は終了した。平成28年度は構造確認のための特殊な装置装置の使用量や外部測定依頼のための出張旅費などに使用する。
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Research Products
(6 results)
