2015 Fiscal Year Research-status Report
グラフィティックカーボンナイトライド薄膜の開発と電子デバイスへの応用開拓
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15K13776
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| Research Institution | Institute of Physical and Chemical Research |
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Principal Investigator |
宮島 大吾 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 基礎科学特別研究員 (60707826)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| Keywords | グラフィティックカーボンナイトライド / FET / 薄膜 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では我々が開発したグラフィティックカーボンナイトライド薄膜の電子デバイスへの応用を目指したものである。昨年度はより高品質の薄膜を作成すべく合成条件の最適化を行った。当初の予想以上に薄膜作成に用いる基板依存性があることが分かり、これまでのガラス、Si、HOPGといった基板だけでなく、サファイア、アルミ、ゲルマニウムなど多種の基板を検討した。得られた薄膜の評価方法も従来のXRDの測定だけでなく、ラマン分光測定、エリプソメトリーなどの測定を用いることでより多角的に薄膜を評価した。その結果従来よりも合成条件の細かい最適化に成功した。また、昨年度後半より、より温度制御を精密に出来る電気炉を導入することで、一段と均一な薄膜作製に成功した。
一方、FET素子への組み込みは思いの外苦労した。具体的には、ボトムゲート型の素子を作成しようと、Si/SiO2基板に固執していたが、それだと十分に綺麗な薄膜を作成できず断念した。現在はトップゲート型の素子を作るべく、条件検討を行っている。特に絶縁層のとしてパリレンを用いるとうまくいきそうであるという予備的結果を得られている。ただし、パリレンは自分たちで作成することが出来ないので、作業効率向上のためにもさらに検討を行う予定である。
今年度は昨年度の結果をもとに、FET素子の作成を目指す。素子に組み込むことで、薄膜の物性を電気物性として評価できるようになり、その情報をもとに合成条件をさらに最適化出来ることが期待される。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
すでに薄膜作製の条件をかなり最適化することに成功しているため。
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| Strategy for Future Research Activity |
昨年度の結果をもとに、FET素子の作成を目指す。素子に組み込むことで、薄膜の物性を電気物性として評価できるようになり、その情報をもとに合成条件をさらに最適化する。
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