2015 Fiscal Year Research-status Report
高速キャリア分離を実現するワイドギャップ半導体ヘテロバレント界面の作製
| Project/Area Number |
15K13939
|
|---|
| Research Institution | The University of Tokyo |
|---|
Principal Investigator |
小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (20470114)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2017-03-31
|
| Keywords | 窒化物半導体 / 酸化物半導体 |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、太陽電池の変換効率に大きな影響を及ぼす、キャリア（電子や正孔）の高速移動・分離を酸化物/窒化物ヘテロ界面で実現することを目的としている。今年度は、窒化物表面に蓄積する高密度電子の輸送特性の評価を行った。パルススパッタ法で成長したInGaN薄膜上にALD法で酸化物絶縁膜を堆積しホール効果測定を行ったところ、絶縁膜を堆積しないInGaNに比べ、移動度が向上することが分かった。これは、ALDプロセス時にInGaN表面の吸着物質や酸化層が清浄化されたことにより、表面（界面）でのキャリア散乱要因が減少したためと理解できる。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
酸化物/窒化物ヘテロ界面を低温形成する条件を見出し、界面の輸送特性の評価まで行うことができた。
|
| Strategy for Future Research Activity |
今後は、窒化物半導体から酸化物半導体内へ正孔を注入できるヘテロ界面を設計・作製し、界面における輸送特性の評価を行う。
|
| Causes of Carryover |
予定していた結晶作製プロセスを改善し、装置セットアップにかかるコストを削減できたため。
|
| Expenditure Plan for Carryover Budget |
より効率的な実験条件の最適化を行うために、薄膜成長用の基板および原料の購入数を増やす予定である。
|
