2016 Fiscal Year Annual Research Report
Instantaneous separation of carriers using heterovalent interfaces of wide-band-gap semiconductors
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15K13939
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (20470114)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 窒化物半導体 / 酸化物半導体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、太陽電池の変換効率に大きな影響を及ぼす、キャリア（電子や正孔）の高速移動・分離を酸化物/窒化物ヘテロ界面で実現することを目的としている。今年度は、窒化物半導体と酸化物半導体の混晶を作製し、その光学的・電気的特性の評価を行った。成膜温度を低減することで、インジウム系酸窒化物混晶半導体を全組成域にわたって均質に作製できることが分かった。作製した酸窒化物半導体薄膜はその組成に応じて、バンドギャップが変化し、また、電子の輸送特性も制御できることが明らかになった。この酸窒化物半導体の実現は、価電子帯と伝導帯のエネルギーを独立に制御できる可能性を示唆しており、キャリアが高速分離される界面形成技術に繋がるものと考えられる。
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