2018 Fiscal Year Annual Research Report
Constrained coding for flash memories and its evaluation
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15K15936
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| Research Institution | Shonan Institute of Technology |
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Principal Investigator |
眞田 亜紀子 湘南工科大学, 工学部, 講師 (20631138)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | フラッシュメモリ / 制約符号 / セル間干渉 / 最大挿入レート / 制約影響を受けないセル / sum-rate |
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| Outline of Annual Research Achievements |
フラッシュメモリとは不揮発高密度の記録媒体で，USBやSSDなどに利用されている．フラッシュメモリでは，フローティングゲートと呼ばれるセルに電荷を注入してデータを保存し，電荷量を量子化することで読み出しを行う．電荷の注入はセル毎にできるが，セルの電荷量を減らすには，そのセルだけでなくそのセルと同じブロック（集合）に属するセルを一度初期化せねばならない（この処理をブロック消去と呼ぶ）．ブロック消去は寿命にも影響を与えるため，電荷量を減らさずにデータの上書きをすることが要求される．一方で，セル間の電荷がお互い干渉し合うことで量子化の際にエラーが起こってしまう要因（セル間干渉）も考慮する必要がある，
本研究では，フラッシュメモリへデータを保存する際の「上書きにおける制約」と「インプットデータにおけるデータ列制約」を同時に考慮した効率的な符号化方式を提案することを目的とする．特に今年度は，フラッシュメモリにどれだけ情報を書き込めるかの指標となる「sum-rate」に関して，与えられた条件を満たした上でどこまで高めることができるかを解析した．具体的には，de Souzaらが提唱したConstrained system with unconstrained positionsを元に，どのシンボルをあてがったとしてもデータ制約を受けないセルのみ用いて行う符号化方式を提案して，そのsum-rateを求めた．また，そのsum-rateを最大sum-rateと比較して提案手法の有効性について検討した．特に，あるラン長制約に関しては，提案手法が漸近的に最適になること（漸近的に最大sum-rateに近づくこと）を確認した．セル間干渉の場合も，最適に近く傾向にあることは確認できたため，今後最適になるかどうか突き詰めていく予定である．
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Research Products
(2 results)
