一枚層銅酸化物HgBa2CuO4+dにおける超伝導臨界温度(Tc)の最高記録更新

2017 Fiscal Year Research-status Report

• Project/Area Number: 15K17712
• Research Institution: 一般財団法人総合科学研究機構(総合科学研究センター(総合科学研究室)及び中性子科学センター(研究開発
• Principal Investigator: 石角 元志 一般財団法人総合科学研究機構(総合科学研究センター(総合科学研究室)及び中性子科学センター(研究開発, 中性子科学センター, 技師 (90513127)
• Project Period (FY): 2015-04-01 – 2019-03-31
• Keywords: 水銀系銅酸化物高温超伝導体 / 多結晶試料作製 / 単結晶育成

Outline of Annual Research Achievements

H29年度は、前年度に実施した高圧下X線回折測定による構造解析の結果と比較するために同条件(高圧下)、同じ素性の試料(HgBa2CuO4+d:Tc=95 K)で高圧下電気抵抗測定を行う計画であったが、多結晶試料作製や単結晶育成条件の最適化までを実施したところまでしか進まなかった。

Current Status of Research Progress

4: Progress in research has been delayed.

Reason

H29年度は研究代表者の所属する総合科学研究機構中性子科学センターの業務（J-PARC MLFでのユーザ実験支援業務）が激増して、本研究にかけられるエフォートが少なくなり、今年度内の計画が遂行できなくなった。そのため高圧下の電気抵抗測定の実験がほとんど進んでいない状況である。H29年度当初の計画、①試料作製の条件最適化、②高圧下電気抵抗測定、の内の①まででしか実施できていない。

Strategy for Future Research Activity

H30年度は、本研究を遂行する時間を確保して、水銀系単結晶試料を使った高圧下電気抵抗測定を進める。まず、昨年度に行った試料作製条件の再現と最適化を再開して測定試料を確保する。その後、常圧下での電気抵抗測定を成功するために電極付け技術開発を行う。再現性良く電気抵抗測定することに成功したら高圧下電気抵抗測定を実施して仕事をまとめる計画である。

Causes of Carryover

研究計画に遅れが生じたため、使用額に差額が生じた。