2005 Fiscal Year Annual Research Report
酸化物超構造形成による非自明なスピン構造の創製と異常磁気伝導
Project/Area Number |
16076205
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
H・Y HWANG 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教授 (30361611)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川崎 雅司 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (90211862)
十倉 好紀 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30143382)
永長 直人 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (60164406)
寺倉 清之 北海道大学, 創成科学研究機構, 教授 (40028212)
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Keywords | 強相関電子系 / 表面・界面 / 磁性 / 低温物性 |
Research Abstract |
実験においては、ペロブスカイト型酸化物を中心とした物質の界面などにおいて発生する異常な磁気状態の探索とその機構の研究を行った。まず、螺旋磁気構造の形成が古くから知られてFe、Co珪化物における磁気秩序の様子を調べた。本研究の特徴は、これまで粒子線回折などの波数空間での情報のみが得られる手法によって調べられていた螺旋磁気構造を、実空間においてローレンツ電子顕微鏡を用いて観測した点である。その結果、螺旋磁気構造のドメインや、転移の様子など、波数空間での観察では得られない情報が明らかになった。また、基礎物性およびデバイス応用の両方の観点から注目されているマンガン酸化物の界面のごく近傍の特性を調べ、ルテニウムを添加することでバルクの値に匹敵する保持力が界面近傍においても保存することを明らかにした。理論においては、モデル計算および第一原理計算を用いて異常磁気状態の研究を行った。まず、通常の半導体界面の形成過程と同様のバンドベンディングの概念が有効であるとし、モデル計算により通常の金属とドープされたモット絶縁体の界面における電子状態を調べた。その結果、界面のモット絶縁体側にきわめて興味深い状態が実現し、界面からの距離に応じて、キャリアのフィリングが整数量子化された領域が実現した。具体的には、界面側からバンド絶縁体・金属・モット絶縁体という三つの界面相が現われることがわかった。さらに、遍歴磁性体の電子状態について、平均場近似を出発点として乱雑位相近似、GW法などの手法を用いて検討を行った。
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Research Products
(76 results)
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[Journal Article] Quantitative analysis of Sr_2RuO_4 angle-resolved photoemission spectra : Many-body interactions in a model Fermi liquid2005
Author(s)
N.J.C.Ingle., K.M.Shen, F.Baumberger, W.Meevasana, D.H.Lu, Z.-X.Shen, A.Damascelli, S.Nakatsuji, Z.Q.Mao Y.-Maeno, T.-Kimura, Y.Tokura
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Journal Title
Physical Review B 72
Pages: 205114
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[Journal Article] Impurity-induced transition to a Mott insulator in Sr_3Ru_2O_72005
Author(s)
R.Mathieu, A.Asamitsu, Y.Kaneko, J.P.He, X.Z.Yu, R.Kumai, Y.Onose, N.Takeshita, T.Arima, H.Takagi, Y.Tokura
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Journal Title
Physical Review B 72
Pages: 092404
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[Journal Article] High-resolution photoemission study of Nd_<1-x>Sr_xMnO_32005
Author(s)
H.Fujiwara, A.Sekiyama, A.Higashiya, K.Konoike, M.Tsunekawa, A.Yamasaki, A.Irizawa, S.Imada, T.Muro, K.Noda, H.Kuwahara, Y.Tokura, S.Suga
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Journal Title
J.Elec.Spec.Rel.Phen. 144
Pages: 807
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[Journal Article] Bulk electronic structures of n-type superconductor Nd1.85Ce0.15CuO4 probed by high energy angle-resolved photoemission spectroscopy2005
Author(s)
A.Tsunekawa, A.Sekiyama, S.Kasai, A.Yamasaki, H.Fujiwara, M.Sing, A.Shigemoto, S.Imada, Y.Onose, Y.Tokura, T.Muro, S.Suga
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Journal Title
J.Elec.Spec.Rel.Phen. 144
Pages: 541
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[Patent(Industrial Property Rights)] 巨大電気抵抗メモ2006
Inventor(s)
十倉好紀, 赤穂博司, 川崎雅司, 澤彰仁, 藤井健志, 有馬孝尚, 徳永裕介, 金子良夫
Industrial Property Rights Holder
十倉好紀, 赤穂博司, 川崎雅司, 澤彰仁, 藤井健志, 有馬孝尚, 徳永裕介, 金子良夫
Industrial Property Number
特願2005-352878
Filing Date
2006-03-01
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[Patent(Industrial Property Rights)] 光学装置2005
Inventor(s)
十倉好紀, 有馬孝尚, 永長直人, 貴田徳明, 澤田桂, 金子良夫
Industrial Property Rights Holder
十倉好紀, 有馬孝尚, 永長直人, 貴田徳明, 澤田桂, 金子良夫
Industrial Property Number
特願2005-219891
Filing Date
2005-07-29
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