2008 Fiscal Year Final Research Report
Selective epitaxial growth of nitride nano-hetero structures on patterned silicon substrate
| Project/Area Number |
16106001
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
SAWAKI Nobuhiko Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (70023330)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
YAMAGUCHI Masahito 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20273261)
TANAKA Shigeyasu 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 准教授 (70217032)
HONDA Yoshio 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60362274)
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| Project Period (FY) |
2004 – 2008
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| Keywords | 窒化物半導体 / ナノへテロ構造 / MOVPE / 選択成長 / 不純物ドーピング |
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| Research Abstract |
加工Si基板上への選択MOVPE法により、(0001)、(1-101)、(11-22)ならびに(11-20)面を有するAlGaN/GaN、GaN/InGaN微細ヘテロ構造を作製した。この構造は自然形成原理に従って形成されるため、表面平坦性、結晶性に優れることを明らかにした。特に、窒素を最表面とする(1-101)半極性面GaNは不純物ドーピング特性に優れ、Mgドーピングで高い正孔濃度が得られ、炭素ドーピングでもp形伝導が得られることを明らかにした。Si基板上に半極性GaN-LEDとストライプレーザ構造を作製し、光集積デバイスのためのナノへテロエピタキシの有効性を実証した
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