2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of High-temperature cBN Thin Film DevicesFor Severe Environments
| Project/Area Number |
16106009
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Material processing/treatments
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
YOSHIDA Toyonobu The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
IKUHARA Yuuichi 東京大学, 工学系研究科総合研究機構, 教授 (70192474)
KONDO Takashi 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (60205557)
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| Project Period (FY) |
2004 – 2008
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| Keywords | 高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング |
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| Research Abstract |
アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。
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