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2004 Fiscal Year Annual Research Report

常温接合によるウエハスケールMEMSパッケージ

Research Project

Project/Area Number 16201028
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

須賀 唯知  東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (40175401)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) ハウラダル マティアル R  東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40334354)
日暮 栄治  東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (60372405)
Keywords酸素プラズマ / 酸素ラジカル / 低温接合 / 表件活性化 / 常温接合 / ガラス接合 / 気密封止
Research Abstract

本研究では,酸素プラズマおよび窒素プラズマで構成されるSequential processによる表面活性化処理をガラス接合に適用した場合における,窒素プラズマ照射の接合強度への影響を調査し,処理条件と接合強度の変化について検討を行った.また,処理条件による強度への影響および表面分析からこのプロセスによって生じる処理表面の変化について検討した.最後に,この接合法を用いて封止構造体の接合を行い,気密封止特性について検討した。
Sequential processは酸素および窒素によるプラズマ処理から構成されている.まずは酸素を導入し,RFプラズマによるRIEにて試料表面処理を行う.その後酸素を排出し,続いて窒素を導入してMWによって励起した表面波プラズマによるラジカルを照射し,試料表面処理を連続的に行った.その後試料を大気中に搬出し,処理済表面同士を直接接触させ,接合する.試料としては4inch溶融石英ガラスウエハおよびシリコンウエハを使用した.
Sequential processによる表面活性化常温接合法をガラスウエハの接合に適用した結果,従来の他の方法と比較して低温・低負荷での接合が可能であることを確認した.
接合強度は加熱とともに増加し,またガラスのOH基濃度によって接合強度が大きく変化することはないことを確認した.酸素および窒素中での加熱による接合強度変化は確認できなかった.また接合強度の値のバラつきと試料表面粗さは窒素ラジカル処理ガス圧力によって左右されることを確認した.
さらに、Sequential processによる表面活性化常温接合法を用いてガラス同士およびシリコンとガラスの接合でマイクロキャビティ構造体を製作し,リークテストを行うことで気密封止特性の確認を行った.その結果,良好な気密封止特性を確認した.

  • Research Products

    (6 results)

All 2004

All Journal Article (6 results)

  • [Journal Article] Wafer level surface activatedbonding tool for MEMS packaging2004

    • Author(s)
      M.M.R.Howlader, H.Okada, T.H.Kim, T.Itoh, T.Suga
    • Journal Title

      Journal of Electrochemical Society 151

      Pages: G-461

  • [Journal Article] Oxidation behavior of leadfree solder bumps and their bonding characteristics2004

    • Author(s)
      H.Ozawa, M.M.R.Howlader, M.Satou
    • Journal Title

      14th Micro Electronics Symposium (MES) of Japan institute for Electronics Packaging

  • [Journal Article] Wafer level and chip size direct wafer bondingat room temperature2004

    • Author(s)
      M.M.R.Howlader, T.Suga, Moon J Kim
    • Journal Title

      206th Electrochemical Society Meeting

  • [Journal Article] Surface activated bonding for microelectronics and MEMSpackaging2004

    • Author(s)
      M.M.R.Howlader, T.Suga
    • Journal Title

      The Electrochemical Society International Semiconductor Technology Conference

  • [Journal Article] Lamination and de-laminationprocesses for Cu/LCP for electronic packaging2004

    • Author(s)
      M.M.R.Howlader, K.Nanbu, T.Saizou, T.Suga
    • Journal Title

      The Eleventh International Conference on Intergranular and Inetrphase Boundaries.

  • [Journal Article] Surfaceactivated bonding for Sn-Ag and their oxidation mechanism2004

    • Author(s)
      Y.Wang, M.M.R.Howlader, N.Hosoda.K, Okamoto, T.Suga.M.
    • Journal Title

      The Electrochemical Society International Semiconductor Technology Conference

URL: 

Published: 2006-07-12   Modified: 2016-04-21  

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