| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
摂待 力生 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (00251041)
杉山 清寛 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (00187676)
竹内 徹也 大阪大学, 低温センター, 助手 (90260629)
芳賀 芳範 日本原子力研究所, 先端基礎研究センター, 副主任研究員 (90354901)
山本 悦嗣 日本原子力研究所, 先端基礎研究センター, 副主任研究員 (50343934)
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| Research Abstract |
セリウム,トリウム,ウラン,超ウランのネプツニウム化合物のf電子系の純良単結晶を育成し,電子状態の研究を行った。セリウム化合物ではCeRhIn_5,CePt_3Si, Ce_2Ni_3Ge_5など6種類(他のLa, Pr化合物などでは71種類),ウラン化合物ではUFe_4P_<12>,UIrなど6種類,ネプツニウム化合物ではNpCoGa_5,NpRhGa_5など5種類の単結晶を育成した。大きな研究成果は次の通りである。
1,約3GPaまでの高圧下でのCeRhIn_5のドハース・ファンアルフェン効果に成功し,2.4GPaを境にして4f電子の電子状態が局在から遍歴に変貌することを見出した。2.4GPaは臨界圧力(量子臨界点であると結論した。サイクロトン質量は超伝導が発現する1.6GPaから2.4GPaで最大値になるように著しく増大した。
2,反強磁性体Ce_2Ni_3Ge_5において,3.5GPa以上の高圧下で超伝導を発見した。3.5GPaでの超伝導の発現する転移温度は0.15Kであった。Ce_2Ni_3Ge_3は斜方晶の結晶構造であるが,正方晶のCeNi_2Ge_2に類似性がある。
3,結晶の反転対称性を持たないCePt_3Siの単結晶育成に成功し,その基本的物性を明らかにした。Bi, Sn, Alなどのフラックス法,テトロアーク溶解炉を使った引き上げ法などいろいろ試みたが,モリブデンに封入したブリッジマン法が良いことが分かった。
4,反転対称性のない強磁性体UIrで2.6GPa付近で超伝導を発見した。この2.6GPaは強磁性状態から常磁性状態に変わる臨界圧力である。この成果はジャーナルのホームページの11月号に取り挙げられた。
5,反強磁性体NpCoGa_5,NpRhGa_5のドハース・ファンアルフェン効果の実験より,5f電子の遍歴性を強く示唆する実験結果を得た。
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