2005 Fiscal Year Annual Research Report
輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質II-VI半導体多元混晶の作製
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16360013
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
小林 正和 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (10241936)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
堀越 佳治 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (60287985)
宇高 勝之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20277817)
宗田 孝之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90171371)
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| Keywords | ZnCdMgS / 分子線エピタキシ / 紫外線センサ / ホモエピタキシャル基板 / 超格子 / PL / TEM |
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| Research Abstract |
本年は、従来までに開発を行ってきたZnCdS/MgCdS超格子やZnMgCdS混晶のほかにZnSe/MgCdS超格子の研究についても着手始めた。本超格子は、4元混晶やZnCdS/MgCdS超格子に比べて使用する原料の数が増えてしまうという問題点を抱えている。しかしながら、バンド構造がタイプIがたのものになるため、伝導体や価電子帯に明瞭な井戸を作製することが可能になってくる。そのため、量子準位が強調された素子になると期待される。他方、Se系材料はS系材料に比べて一般的に光に対する感度が低いため、光素子としては必ずしも高感度になるとは考えにくい。
これらの長所と短所を内在しているため、素子への応用に関しては慎重に検討する必要がある。
これまでに、分子線エピタキシー法により、標記材料の作製が可能なことを明らかにした。組成制御性や、電子状態の制御性については当初の期待していた結果が得られた。また、材料の光学的特性を低温フォトルミネッセンスにより測定したところ、バンド端に対応した信号が明瞭に得られた。そして、他の材料系に比べてほぼ遜色のない光学的特性を有する材料が作製されたことが明らかになった。紫外線センサとしての特性については今後検討していく予定である。
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