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2004 Fiscal Year Annual Research Report

Type II二重サブバンド構造超格子の光up‐conversion機構

Research Project

Project/Area Number 16560015
Research InstitutionHokkaido Institute of Technology

Principal Investigator

今井 和明  北海道工業大学, 工学部, 教授 (40001987)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 木村 信行  北海道工業大学, 総合教育研究部, 教授 (10204984)
澤田 孝幸  北海道工業大学, 工学部, 教授 (40113568)
鈴木 和彦  北海道工業大学, 工学部, 教授 (30226500)
KeywordsMBE成長 / ZnSe-ZnTe超格子 / 光up-conversion
Research Abstract

異なる量子レベルを持つ単周期超格子同士を組み合わせて超周期を持つ超格子を育成すると(二重サブバンド(Dual Subband : DSB)超格子)、その超周期超格子は、二つの単周期超格子の量子レベルの中間のエネルギーの光で励起したとき、低エネルギー側の発光とともに励起光より高いエネルギーの発光を見せることが分かっている。これを波長変換効果(光up-conversion)と呼ぶ。本研究ではZnSe-ZnTe type II超格子においてこの発光機構を解明する。平成16年度はMBE法により成長させたZnSe-ZnTe DSB超格子の各PLピークにおける励起光強度依存性について検討を行った。
発光強度-励起光強度依存性(I_<em>^~ I_<ex>^n)では波長変換効果における遷移過程は、nが1より有意に大きくなった実験結果から、DSB超格子特有の遷移過程であることが示された。更に、ZnSe層の薄いDBS超格子においてこのn値が1.7となったことから、ZnSe層が薄い構造のDSB超格子ほどn値が2に近づく可能性が見出された。
ピークエネルギー-励起光強度依存性ではup-convertされた発光ピークを含む全ての発光構造が、type-II遷移に特徴的に見られる、励起光強度の増加に伴うブルーシフトが観測された。従って、波長変換効果は、高いエネルギーを持つ光で励起するnormal process下での発光と同一のレベルからの発光である事が判明した。
これらの結果はわれわれが提唱している波長変換効果の発光モデルを支持するものとなった。

  • Research Products

    (6 results)

All 2004

All Journal Article (6 results)

  • [Journal Article] Photomagnetoelectric effect of high resistivity CdTe2004

    • Author(s)
      K.Suzuki et al.
    • Journal Title

      phys.stat.sol.(c) vol.1,No.4

      Pages: 666-669

  • [Journal Article] Cleaning effect of ZnSe surface by hydrogen treatment2004

    • Author(s)
      Y.Sasaki et al.
    • Journal Title

      phys.stat.sol.(c) vol.1,No.4

      Pages: 670-673

  • [Journal Article] The origin of free exciton-like emission in ZnSeTe alloy2004

    • Author(s)
      Y.Sasaki et al.
    • Journal Title

      phys.stat.sol.(c) vol.1,No.4

      Pages: 827-830

  • [Journal Article] Light up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices grown on ZnSe by MBE2004

    • Author(s)
      Y.Sasaki et al.
    • Journal Title

      phys.stat.sol.(c) vol.1,No.4

      Pages: 993-996

  • [Journal Article] Interpretation of current transport properties at Ni/n-GaN Shottoky interfaces2004

    • Author(s)
      T.Sawada et al.
    • Journal Title

      J.Vac.Sci.Tech.B vol.22,No.4

      Pages: 2051-2058

  • [Journal Article] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaN using Ammonia Cluster Ion Beam as a Nitrgen Source2004

    • Author(s)
      H.Saito et al.
    • Journal Title

      phys.stat.sol.(c) vol.1,No.10

      Pages: 2478-2482

URL: 

Published: 2006-07-12   Modified: 2016-04-21  

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