2004 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
16560297
|
|---|
| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
邵 春林 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (20242828)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
神保 孝志 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80093087)
江川 孝志 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00232934)
石川 博康 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 講師 (20303696)
|
|---|
| Keywords | 導波路 / 多孔性シリコン / 光電子集積回路 |
|---|
| Research Abstract |
本研究は、シリコン基板の表面に光電子集積回路を実現することを目的とします。まず、低伝搬損失かつ光デバイスと光の結合効率が良好である、シリコン基板上に埋め込む型光導波路の開発を行います。この導波路は多孔性シリコンの酸化による形成される、屈折率に異なる同軸SiO2層によって構築されます。
初年度は、主に多孔性シリコン形成方法の検討、実験装置の構築を行いました。その上で、多孔性シリコン形成に影響要素の最適化を試みました。
多孔性シリコン形成方法としては、陽極酸化を用いて行いました。多孔性シリコン形成しょうとするシリコン基板を適当な濃度を有するHFの溶液に浸して電極を与えて、もう一方のPt電極の間に電流を通し多孔性シリコンを形成します。
導波路を形成する際に、多孔性シリコンの多孔度と多孔性シリコンの粒径を自由に制御することは必要なので、HFの濃度そして陽極酸化時の電流密度と多孔性シリコンの形成速度、多孔度、細孔径との関連性を調べました。
その調べた結果、濃度2.5%のHFに適当な反応促進剤を添加することによって、電流密度96mA/cm2の条件で陽極酸化法を用いて、多孔性シリコンの形成が成功しました。
形成された多孔性シリコンの形態(多孔度、細孔径等)と電流密度およびその他の陽極酸化条件との関連性については、つづいて調べるところで、次の年度に明らかにする見込みです。
|
