2005 Fiscal Year Annual Research Report
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16560297
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
邵 春林 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (20242828)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
神保 孝志 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80093087)
江川 孝志 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 教授 (00232934)
石川 博康 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 助教授 (20303696)
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| Keywords | 多孔性シリコン / 導波路 / 光電子集積回路 |
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| Research Abstract |
本研究は、シリコン基板の表面に光電子集積回路を実現することを目的とします。まず、低伝搬損失かつ光デバイスと光の結合効率が良好である、シリコン基板上に埋め込む型光導波路の開発を行います。この導波路は多孔性シリコンの酸化による形成される、屈折率に異なる同軸SiO2層によって構築されます。
初年度は、主に陽極酸化を用いて多孔性シリコン形成方法の検討、実験装置の構築を行いました。その調べた結果、濃度2.5%のHFに適当な反応促進剤を添加することによって、電流密度96mA/cm2の条件で陽極酸化法を用いて、多孔性シリコンの形成が成功しました。
本年度には、HFの濃度そして陽極酸化時の電流密度と多孔性シリコンの形成速度、多孔度、微細孔径との関連性を調べました。
さらに陽極酸化液にエタノールを添加した場合、形成された多孔性シリコンの多孔度、膜厚は、化成時間と電流密度の増加とともに、増加している傾向を示しています。また、エタノール濃度が高い(75%)場合、多孔度は電流密度の影響をあまり受けなくなり、化成時間の影響のみ受ける結果が得られています。
一方、エタノール濃度が濃くなるほど、孔が低電流密度でも形成し始め、エタノール濃度50%の時に孔は一番低電流密度の条件で形成し始まる結果は実験で分かりました。
導波路を形成する際に、多孔性シリコンの多孔度と多孔性シリコンの粒径を自由に制御することが必要なので、最適な条件を次の年度に、引き続いて調べる必要があると思う。
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