2004 Fiscal Year Annual Research Report
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16656007
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| Research Institution | Chiba University |
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Principal Investigator |
落合 勇一 千葉大学, 工学部, 教授 (60111366)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
堀内 一永 富士ゼロックス株式会社, 中央研究所, 研究員
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| Keywords | フラーレン / C_<60> / 電界効果トランジスター / 超微小 / 超高移動度 / ホッピング伝導 / カーボンナノチューブ / パッシベーション |
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| Research Abstract |
C_<60>成長用真空蒸着装置改造のため(千葉大学)、アルミナ薄膜用スパッタリング装置(現有)に抵抗加熱式C_<60>蒸着装置に、基板温度加熱機構を設置し、金属電極を形成・端子付後、基板上にC_<60>膜を堆積させ、大気に晒さずにアルミナ薄膜のパッシベーションを行えるようにした、さらに同蒸着装置内に広温度域可変型伝導測定機構(新規購入)を設置して、4.2から450Kの範囲でC_<60>薄膜が大気に晒されていない状態での本質的なC_<60>FETの電気伝導特性の温度依存性を観測できるようにした。これによりC_<60>薄膜FETの低温電気伝導測定ができ、移動度の温度依存性を評価できるようになった。この低温でのホッピング伝導の解析によりC_<60>薄膜の作製条件の調整ができ、高移動度化の最適条件を見出せることがわかった。また、アルミナ薄膜によるパッシベーションが輸送特性に与える影響を詳細に評価できるようになるので、今後は大気中での特性に関しても、観測可能となる。次に、マニピュレーション技術による、カーボンナノチューブ(CNT)微小ゲート電極作製の準備を行った(千葉大学・富士ゼロックス)。マニピュレーションによって基板平面上に無作為におかれたCNTをゲート電極としてC_<60>FETのチャネル部に配置する技術の開発と、ゲート特性の評価、最適化を行うために、まずはCNTをソース・ドレイン電極として働かせ、バックゲート法によりFET動作させ、その電気伝導を調べることができた(千葉大学)。また、自己形成C_<60>微小単結晶粒の選択成長による結晶性評価と構造制御に関して考察するため、有機分子単結晶の基板上に、C_<60>微小単結晶粒のエピタキシャル選択成長を前述の蒸着装置で行うことを計画し、その予備実験を行った(千葉大学)。
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Research Products
(6 results)
