2004 Fiscal Year Annual Research Report
ナノ微粒子支援異方性堆積法で作製したZnOナノロッド結晶の電解放出素子への応用
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16656096
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
岡田 龍雄 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 教授 (90127994)
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| Keywords | ZnO / 電界電子放出 / ナノ微粒子 / レーザーアブレーション / ナノ微粒子支援薄膜堆積法 / ナノロッド / 酸化亜鉛 / 薄膜 |
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| Research Abstract |
本研究代表者のグループでは,ナノ微粒子支援異方性堆積法(NAPLD法と略す)と名付けた新しい薄膜結晶作製法を考案し,NAPLD法により六角錘構造を持つ酸化亜鉛(ZnO)ナノロッド結晶の作製に成功している.本研究の目的は,NAPLD法で作製したZnOナノロッド結晶の電界放出による電子放出特性を定量的に評価し,電子放出応用デバイスへの応用の可能性を明らかにすることである.平成16年度には,以下の成果を得た.
(1)作製条件を変化してさまざまな形状を持つZnOナノ構造体結晶の作製に成功した.
(2)作製した試料の電界電子放出特性を測定するための電子放出測定装置を作製した.
(3)六角錘ZnOナノロッド結晶薄膜は,成膜状態で導電性を持っている事が分かった.
(4)同装置を用いて既に作製法が確立している直径が100-300nm程度の比較的大きな六角錘ZnOナノロッドの電界電子放出特性の測定を行い,印加電界16V/mmの時放出電流密度1.0mA/cm^2を得た.
これにより,NAPLDで作製したZnOナノロッドが電界放出素子として有用であることが確認された.
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