2004 Fiscal Year Annual Research Report
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16760001
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
後藤 民浩 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助手 (10311523)
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| Keywords | 高速相変化 / 光スイッチ / アモルファス半導体 / 光メモリー / 電子励起 / 光結晶化 / カルコゲナイドガラス / 超短パルス光 |
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| Research Abstract |
(1)試料作製
相変化による超高速光スイッチの実現を目指し、光メモリーで実績のあるGe-Sb-Te系カルコゲナイド薄膜を作製しました。さらに、結晶化速度の向上が報告されているAg-In-Sb-Te系やGe(Sb_<70>Te_<30>)+Sb材料や製膜条件について検討するため、直流スパッタ装置に基板加熱や高真空、高純度アルゴンガスなどの改良を行ないました。
(2)光学的性質
アモルファス相と結晶の光学的性質、特に光通信で用いられる1.3μm〜1.5μm領域の光学損失について分光透過率測定装置および光熱偏向分光法を用いて詳しく調べました。その結果、アモルファスと結晶の光学バンドギャップには0.2eVの差異があること、アモルファス相のギャップ内準位すなわちバンドテイルの吸収が光学損失に影響することがわかりました。
(3)超短パルス光による相変化過程の追跡
電子励起による高速相変化には、フェムト秒からピコ秒の超短パルス光が不可欠です。そこで、平成16年度に設備備品として購入したパルスジェネレーターにより、高速相変化に関する実験を行ない、50nsでの結晶化に成功しました。なお、構造評価には北海道大学共同利用施設の高エネルギーX線回折装置ならびにラマン散乱装置を利用し、さらに原子間力顕微鏡で表面形状を調べました。
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Research Products
(4 results)
