2019 Fiscal Year Annual Research Report
電気磁気効果に基づく局所磁化反転とTbit/inch2級超高密度記録への展開
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16H02389
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
中谷 亮一 大阪大学, 工学研究科, 教授 (60314374)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
白土 優 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (70379121)
豊木 研太郎 大阪大学, 工学研究科, 助教 (90780007)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2020-03-31
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| Keywords | 磁気記録 / 電気磁気効果 / Ｃｒ２Ｏ３ / 界面 / 交換磁気異方性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
ハードディスクドライブに代表される磁気記憶においては，記録密度の限界が指摘されるようになって久しい．現在は，熱アシストを主流としたエネルギーアシスト型磁気記録システムの開発が進められているが，本研究課題では，研究代表者の独自成果をベースとした電界アシスト磁化反転を磁気記録システムに展開することを目標とした．2019年度の主な成果を，以下に記す．
(1) 電気磁気効果によるCr2O3の磁化反転エネルギー障壁の起源解明：強磁性層／Cr2O3層積層膜における界面交換結合は，電界反転させた反強磁性スピンの強磁性層への転送原理となるため不可欠なものである。しかしながら，同時に，磁化反転のエネルギー障壁にもなりえることを見出してきた．2019年度の成果によって、同一下地層上での組織制御によるCr2O3層の結晶性制御によって，Cr2O3層の磁化反転のエネルギー障壁が結晶粒界でのスピンフラストレーションによることを明らかにした．
(2) 電気磁気効果を示すCr2O3層の低膜厚化：磁気記録層として利用するためには，Cr2O3層の低膜厚化が重要である．従来研究では約110 nmが国内外の最小値（2018年度の研究代表者らの成果）を，1/2以下となる50 nm膜厚領域で上記の原理を実証した．この値は，強磁性層／Cr2O3層における電気磁気効果誘起磁化反転薄膜として，現時点（2020年3月）での世界最小値である．
これらの成果は、学術論文発表とともに国内外での学術講演会での招待講演等で報告している。
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| Research Progress Status |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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