2018 Fiscal Year Annual Research Report
Feasibility study of the SOTB implementation of the anti-counterfeit technology PUF
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16H02833
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
堀 洋平 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60530368)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
小笠原 泰弘 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30635298)
片下 敏宏 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90500215)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | ハードウェアセキュリティ / PUF / SOTB |
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| Outline of Annual Research Achievements |
数兆にも及ぶ機器やセンサーがネットワークで接続されスマートな都市を実現するInternet of Things (IoT) と持続可能な社会を両立するためには、エッジデバイスの省電力化が必要不可欠である。ゆえに、エッジデバイスに超低消費電力トランジスタ Silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) トランジスタを適用することは極めて有効であると考えられる。また、不正機器排除やセキュリティ機能が必須のIoTでは、ICの偽造防止技術PUFが重要となる。ところが、「SOTBを用いて作製したPUF」（以下、SOTB-PUF）は、実現できるかどうか明示的でなく、検証もされていない。そこで本研究では、SOTB-PUFチップの特性解析を行い、SOTB-PUFの実現可能性とその性能・安全性を明らかにする。
本年度は主にSOTB PUFの環境温度変化に対する耐性評価を特性を行った。PUFの特性をより深く調査するため、コア電圧を0.4Vから1.0Vまで変化させるとともに、温度をマイナス40度から125度まで変えてデータを取得した。その結果、室温では0.4～1.0Vで動作していたPUFが、-40度では0.4Vの超低電圧で動作しない等、特定の環境条件でPUFとしての特性が失われる現象が観測された。この現象のさならる解明のため、測定パラメータをより詳細に設定してデータを取得した。
また本年度は、様々な測定パラメータ（温度、電圧、基板バイアス等）における測定を自動化するプログラムや、PUFの特性（ユニーク性、再現性、ランダム性等）の解析を自動化するプログラムの開発にも注力した。これにより、誰でも手軽にPUFを使用し評価することのできる環境を構築することができた。
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| Research Progress Status |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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