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2016 Fiscal Year Annual Research Report

固体ナノ構造における波長マネジメントを用いたオンデマンドもつれ光子源の研究

Research Project

Project/Area Number 16H03821
Research InstitutionNTT Basic Research Laboratories

Principal Investigator

後藤 秀樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主席研究員 (10393795)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 俵 毅彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (40393798)
国橋 要司  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 研究員 (40728193)
眞田 治樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 特別研究員 (50417094)
章 国強  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (90402247)
Project Period (FY) 2016-04-01 – 2019-03-31
Keywordsもつれ光子 / 酸化エルビウム / 半導体ナノワイヤ / 量子ドット
Outline of Annual Research Achievements

本研究は、量子情報処理の基本的な要素である、通信波長帯でのオンデマンドなもつれ光子源の実現を目的とし、固体ナノ構造の発光特性に着目し、その波長を始めとするスペクトル特性の高度な制御技術を確立させる。この成果を用い、高効率なもつれ光子発生装置を構築し、量子通信の大規模化、光量子コンピューティングなど量子情報の発展と実用化に貢献する。
固体ナノ構造の作製、光非線形による波長変換、フォノン物性などの分野で学術的に貢献するとともに、量子情報にとどまらず、光・電子工学への応用を通して、近年・未来の技術的課題と社会的要請に応えることも目指す。
以上の目的を達成するため、もつれ光子発生のため2種類の固体ナノ構造を研究対象とし、3つの研究項目に取り組んだ。具体的には、量子ドットから発生する単一光子を用いたもつれ光子対の発生、酸化エルビウム(Er2O3)結晶を用いたもつれ光子対の発生、高制御性ナノワイヤ量子ドット形成であり、目的達成のための要素技術を確立を目指した。
全ての項目に関して研究が進展した。まず、量子ドットの物性解明に関連する、ナノ構造のスピン物性および制御に関して成果が得られた。また、酸化エルビウムに関しては、もつれ光子発生に向けての重要な物理量の制御手段を明らかにした。ナノワイヤについても新規ナノ構造の作製技術を実現させた。これらの成果を、国内会議で発表し、特許出願も実現させた。酸化エルビウムに関しては、2編の論文を発表した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

もつれ光子発生のため、2種類の固体ナノ構造を研究対象とし、量子ドットから発生する単一光子を用いたもつれ光子対の発生、酸化エルビウム(Er2O3)結晶を用いたもつれ光子対の発生、高制御性ナノワイヤ量子ドット形成の3つの研究項目に取り組んた。
1つめに関しては、量子ドットの物性解明に重要となる、半導体ナノ構造でのスピン物性に関して進展させ、国内外での会議発表、特許出願を実現させた。また、波長変換のための光学系の整備を行った。
2つめは、酸化エルビウムの光学特性の物性解明が進み、論文発表を行った。また、もつれ光子発生にとって重要である物理量を制御する手段についても新たな知見が得られ、こちらも論文で発表した。
3つめでは、自己触媒型というオリジナリティの高いナノワイヤ技術が進展し、他の手法では作製が困難なナノ構造を実現させた。この成果は、国内外の会議で発表した。

Strategy for Future Research Activity

以下の3つの研究項目を推進する。
『研究項目1:量子ドットから発生する単一光子を用いたもつれ光子対の発生』前年に引き続き、量子ドットから発生する光子を光非線形効果によって波長変換を行い、通信波長帯のもつれ光子対を発生される。量子ドットから発生する単一光子を、継続的に高度化させてきた顕微分光技術を用いて、高効率波も長変換が可能なPPLN(Periodically-poled LN)結晶に導入し、ポンプ光を用いる光非線形によって、通信波長帯の単一光子に変換する。今期は、非線形結晶材料の検討を行い、変換効率の向上を図る。
『研究項目2:酸化エルビウム(Er2O3)結晶を用いたもつれ光子対の発生』発光波長の均一性にすぐれたEr2O3結晶を用い、発光過程の時間分布をフォトニック結晶を用いて均一化して通信波長帯のもつれ光子対を発生させる。今期は、Er2O3は、Si基板を用いて、実績のあるEr2O3専用のMBE装置によって作製する。フォトニック結晶の作製や、光学評価は既存の装置で実施する。また、前年度に準備した新しいMBE装置を用いた試料作製も行う。
『研究項目3:高制御性ナノワイヤ量子ドット形成』量子ドットの発光波長の分布を低減するため、ナノワイヤ技術を用いて、高制御性の量子ドットを実現する。ナノワイヤの配列の制御性を高めるため、選択成長マスクのサイズ、ナノワイヤの構造を変化させて、ナノワイヤ量子ドットの発光波長の分布を評価する。

  • Research Products

    (16 results)

All 2017 2016

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 2 results) Presentation (13 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results,  Invited: 2 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Effect of isotopic purification on spectral-hole narrowing in 167Er3+ hyperfine transitions2017

    • Author(s)
      Takehiko Tawara, Giacomo Mariani, Kaoru Shimizu, Hiroo Omi, Satoru Adachi and Hideki Gotoh
    • Journal Title

      Appl. Phys. Express

      Volume: 10 Pages: 042801-1-4

    • DOI

      10.7567/APEX.10.042801

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Mechanism of concentration quenching in epitaxial (ErxSc1-x)2O3 thin layers2017

    • Author(s)
      Takehiko Tawara, Yoshihiro Kawakami, Hiroo Omi, Reina Kaji, Satoru Adachi, and Hideki Gotoh
    • Journal Title

      Optical Materials Express

      Volume: 7 Pages: 1097-1104

    • DOI

      10.1364/OME.7.001097

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] 通信波長帯ナノワイヤレーザの波長制御2017

    • Author(s)
      章 国強、滝口 雅人、舘野 功太、後藤 秀樹
    • Organizer
      第64回応物関係連合講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] 母体結晶のノンスピンバス化を目指したエルビウム添加酸化セリウムのMBE成長2017

    • Author(s)
      稲葉 智宏、俵 毅彦、尾身 博雄、山本 秀樹、後藤 秀樹
    • Organizer
      第64回応物関係連合講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] Origin of long-lived spin dynamics in undoped GaAs quantum wells2017

    • Author(s)
      眞田 治樹、国橋 要司、田中 祐輔、後藤 秀樹、小野満 恒二、好田 誠、新田 淳作、寒川 哲臣
    • Organizer
      第64回応物関係連合講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] Effect of momentum distribution on cubic Dresselhaus spin-orbit interaction in two-dimensional electron gas2017

    • Author(s)
      国橋 要司、眞田 治樹、田中 祐輔、中川原 圭太、後藤 秀樹、小野満 恒二、好田 誠、新田 淳作、寒川 哲臣
    • Organizer
      第64回応物関係連合講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] InP/InAs heterostructure nanowires grown by indium-particle-assisted vapor-liquid-solid mode2016

    • Author(s)
      Guoqiang Zhang, and Hideki Gotoh
    • Organizer
      31st DGKK Workshop: Epitaxy of III/V Semiconductor
    • Place of Presentation
      Duisburg (Germany)
    • Year and Date
      2016-12-08 – 2016-12-09
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Spatio-temporal analysis of diffusion-suppressed drift spin dynamics2016

    • Author(s)
      田中 祐輔、国橋 要司、眞田 治樹、後藤 秀樹、小野満 恒二、中川原 圭太、好田 誠、新田 淳作、寒川 哲臣
    • Organizer
      第64回応物関係連合講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] ボトムアップ的手法で作製した通信波長帯室温動作InAs/InPマイクロワイヤレーザ2016

    • Author(s)
      章 国強、滝口 雅人、舘野 功太、後藤 秀樹
    • Organizer
      第76回応用物理学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] Er3+超微細構造準位の観測2016

    • Author(s)
      俵 毅彦、Giacomo Mariani、清水 薫、尾身 博雄、足立 智、後藤 秀樹
    • Organizer
      第76回応用物理学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] Site-defined InP/InAs heterostructure nanowires with the diameter tuned from microscale to nanoscale2016

    • Author(s)
      G. Zhang, T. Sogawa, H. Gotoh
    • Organizer
      International Conference on the Physics of Semiconductors 2016
    • Place of Presentation
      Beijing (China)
    • Year and Date
      2016-07-31 – 2016-08-05
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Spin manipulation of drifting electrons by electrically-controlled spin-orbit interaction in GaAs quantum well2016

    • Author(s)
      Y. Kunihashi, H. Sanada, H. Gotoh, K. Onomitsu, M. Kohda, J. Nitta, and T. Sogawa
    • Organizer
      International Conference on the Physics of Semiconductors 2016
    • Place of Presentation
      Beijing (China)
    • Year and Date
      2016-07-31 – 2016-08-05
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Site-defined InP/InAs heterostructure nanowires with tunable diameter by in-situ diameter-tuning technique2016

    • Author(s)
      G. Zhang, K. Tateno, T. Sogawa, and H. Gotoh
    • Organizer
      The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • Place of Presentation
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • Year and Date
      2016-06-26 – 2016-06-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Spin coherence enhanced by in-plane electric field-induced spin-orbit interaction2016

    • Author(s)
      Y. Kunihashi, H. Sanada, H. Gotoh, K. Onomitsu, M. Kohda, J. Nitta, and T. Sogawa
    • Organizer
      The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • Place of Presentation
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • Year and Date
      2016-06-26 – 2016-06-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Acoustic transport and manipulation of electron spins in semiconductors2016

    • Author(s)
      H. Sanada, Y. Kunihashi, H. Gotoh, K. Onomitsu, M. Kohda, J. Nitta, P.V. Santos and T. Sogawa
    • Organizer
      SPICE Workshop, "Quantum Acoustics - Surface Acoustic Waves meets Solid State Qubits"
    • Place of Presentation
      Mainz (Germany)
    • Year and Date
      2016-05-17 – 2016-05-20
    • Invited
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 特許権2016

    • Inventor(s)
      国橋要司、眞田治樹、後藤 秀樹、寒川哲臣、好田 誠、新田淳作
    • Industrial Property Rights Holder
      日本電信電話株式会社
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2016-087730
    • Filing Date
      2016-04-26

URL: 

Published: 2018-01-16  

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