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2018 Fiscal Year Annual Research Report

Development of InN semiconductors for application of thermoelectric conversion devices

Research Project

Project/Area Number 16H03860
Research InstitutionRitsumeikan University

Principal Investigator

荒木 努  立命館大学, 理工学部, 教授 (20312126)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 名西 やす之  立命館大学, 理工学部, 授業担当講師 (40268157)
Project Period (FY) 2016-04-01 – 2019-03-31
Keywords窒化インジウム / 分子線エピタキシー / 転位 / 透過電子顕微鏡
Outline of Annual Research Achievements

本研究では、InNが有する高いゼーベック係数に着目し、これを熱電変換素子として応用するための可能性を追求してきた。今年度は、p型InNを実現するための最重要課題として、InNの貫通転位密度低減にさらに取り組んだ。これまでの成果において、RF-MBE法を用いたInN成長中の窒素プラズマ照射による表面改質を利用して、転位密度を低減できる可能性を示し、窒素プラズマ照射の条件や膜構造の最適化を検討してきた。これらの条件を活用し、窒素プラズマ照射を導入した厚膜InN成長を検討した。1時間のInN成長と1時間の窒素プラズマ照射による表面改質を7回繰り返し、約2um厚さのInNを成長して、転位密度低減効果を検証した。その結果、貫通転位密度と相関の高いX線回折半値幅はこれまでで最も小さい値(302で約1780arcsec)を示し、転位密度低減の効果が確認できた。一方、電気的特性については大きな変化はなく、窒素プラズマ照射時の欠陥導入が影響していると考えられる。そこで、成長中のInN表面ではなく、成長をスタートする基板であるGaNテンプレートに窒素プラズマ照射によって表面改質を行い、同様な転位低減効果を得られるかどうか検討した。その結果、窒素プラズマ照射GaNテンプレート上成長InNにおいても転位低減の効果は同様に確認できたが、電気的特性の向上にはつながっておらず、成長界面の解析などさらなる検討が必要となった。これら得られたInNへのMgドーピングによるp型化の検討も進めたが、貫通転位密度の低減効果よりも電気的特性、特にキャリア濃度低減に対する顕著な効果が得られていないため、当初目的とした低抵抗のp型伝導実現には至らなかった。しかしながら、InNの最重要課題である貫通転位密度低減に向けた新たなアプローチに対して本研究課題を通じて価値ある知見を得ることができた。

Research Progress Status

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (11 results)

All 2019 2018

All Journal Article (1 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Peer Reviewed: 1 results,  Open Access: 1 results) Presentation (10 results) (of which Int'l Joint Research: 8 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer2018

    • Author(s)
      D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickeviius, G. Tamulaitis
    • Journal Title

      nanomaterials

      Volume: 9 Pages: 417/1-8

    • DOI

      org/10.3390/nano9030417

    • Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research
  • [Presentation] Indium Nitride Growth with in situ Surface Modification by RF-MBE2019

    • Author(s)
      T. Araki, F. Abas, H. Omatsu, S. Mouri, Y. Nanishi
    • Organizer
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Effects of Nitrogen Radical Irradiation on InN Growth by RF-MBE2018

    • Author(s)
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, Y. Nanishi, and T. Araki
    • Organizer
      The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Nitrogen Plasma Effects on MBE Growth of GaN on Graphitic Substrate2018

    • Author(s)
      U. Ooe, S. Arakawa, S. Mouri, Y. Nanishi, T. Araki
    • Organizer
      The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN by RF-MBE using DERI Process2018

    • Author(s)
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, S. Mouri, T. Araki, T. Sasaki, M. Takahashi
    • Organizer
      The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Van der Waals Epitaxy of Nitride Semiconductors Towards Energy Conversion Devices2018

    • Author(s)
      S. Mouri, Y. Miyauchi, K. Matsuda, Y. Nanishi, T. Araki
    • Organizer
      The 9th International Symposium of Advanced Energy Science - Interplay for Zero-Emission Energy-
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Luminescence Enhancement in InN Deposited by Van der Waals Epitaxy on Graphene Interlayer2018

    • Author(s)
      D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickevicius, and G. Tamulaitis
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Metal Covered Van Der Waals Wpitaxy of GaN Thin Film on Graphene2018

    • Author(s)
      U. Ooe, S. Mouri, Y. Nanishi, and T. Araki
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2018

    • Author(s)
      K. Morino, T. Fujii, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] In-situ Surface Modification of InN Films by Nitrogen Radical Irradiation and Thermal Annealing2018

    • Author(s)
      H. Omatsu, F. B. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • Organizer
      37th Electronic Materials Symposium
  • [Presentation] 窒化インジウムの低転位化結晶成長技術2018

    • Author(s)
      荒木努,F. B. Abas,毛利真一郎,名西やすし
    • Organizer
      平成30年電気関係学会関西連合大会
    • Invited

URL: 

Published: 2019-12-27  

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