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2016 Fiscal Year Annual Research Report

半導体・酸化物複合ナノワイヤ材料の確立と光触媒応用

Research Project

Project/Area Number 16H05970
Research InstitutionEhime University

Principal Investigator

石川 史太郎  愛媛大学, 理工学研究科(工学系), 准教授 (60456994)

Project Period (FY) 2016-04-01 – 2020-03-31
Keywordsナノワイヤ / 化合物半導体 / 分子線エピタキシー
Outline of Annual Research Achievements

本研究では物質として、I. 化合物半導体GaAs/AlGaAs、このAlGaAsを酸化させて作製するII.アルミナ系酸化物(AlGaOx)、およびIII. 酸化チタン(TiOx)のナノスケール機能に注目し、これらを組み合わせた新ナノワイヤ材料を確立し、光触媒応用することを最終目的として研究を実施している。申請者らは近年、分子線エピタキシー法で結晶成長したSi基板上GaAs/AlGaAsコア-シェル型ナノワイヤを、選択水蒸気酸化して作製したナノスケールの半導体・酸化物複合材料、GaAs/AlGaOxコア-シェル型ナノワイヤの形成が可能であることと、AlGaOx層のナノ粒子物性による白色発光機能を見出した。
本研究期間中には、GaAs/AlGaOx/TiOxヘテロ構造ナノワイヤの高精度・高品質合成手法を確立し、その光触媒効果とpnダイオード機能を実証する。具体的には、まず、①試料作製技術の確立として、高品質GaAs/AlGaOx/TiOヘテロ構造ナノワイヤ作製のため、結晶成長と酸化技術を確立する。次に、②特性の把握のため、各構成層の構造・光学・電気物性を詳細に把握し、その後複合構造の特性を調べる。最後に、③デバイス応用として、デバイスを実際に作製し、光触媒効果とpnダイオード特性を実証する。
着手一年目となる今年度は、主に①の試料作製技術確立を主に行った。デバイス応用に不可欠な高精度GaAs/AlGaAsナノワイヤの成長と、その水蒸気酸化についてSi基板上のより大面積で制御性よく実現することを目指した。その結果、基板表面を覆いつくす大面積のナノワイヤ群を形成することに成功し、それらからの室温での良好な白色発光を観測した。さらに、デバイス応用に不可欠なNパッシベーションにより、初めてGaAsNナノワイヤからのレーザー発振観測に成功した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

Si基板上で基板表面を覆いつくす大面積のGaAs/AlGaOxコア-シェルナノワイヤ群を形成することに成功し、それらからの室温での良好な白色発光を観測した。この結果はAdvanced Optical Materials誌のFrontispieceとして採用されるなど、確かな雑誌報告とその中でもハイライトされる評価を得ることができた。[ F. Ishikawa*, P. Corfdir, U. Jahn, O. Brandt, Advanced Optical Materials, 4, 2017, 2016. , Also highlighted as Frontispiece. ]
さらに、表面積の大きなGaAsナノワイヤのデバイス応用に対して不可欠となる表面不活性化(パッシベーション)についてもGaAsに窒素を導入したGaAsN混晶を用いることで成功した。デバイス応用に不可欠なこの窒素による表面パッシベーションにより、世界で初めてGaAsNナノワイヤからのレーザー発振観測に成功した。同結果は、スウェーデン・リンンショピングループとの共同研究成果としてNano Letters誌に掲載された。[Shula Chen, Mattias Jansson, Jan E. Stehr, Yuqing Huang, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, Nano Letters, 17, 1775, 2017. ]

Strategy for Future Research Activity

初年度の研究により、①Si基板上に白色発光する大面積AlGaOx/GaAsナノワイヤ形成と、②光学特性の劣化を防ぐ窒素パッシベーション技術を確立することができた。今後は、これら技術をさらに高度に高める。さらに目的の光触媒応用に向けて、これらナノワイヤ試料にTiO層を形成し、その光触媒機能が確かに発現する条件を見出していく。また、それら試料の正確な物性評価に取り組み、研究報告を随時行っていく。

  • Research Products

    (11 results)

All 2017 2016

All Journal Article (8 results) (of which Int'l Joint Research: 7 results,  Peer Reviewed: 8 results,  Acknowledgement Compliant: 6 results,  Open Access: 1 results) Presentation (3 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results,  Invited: 3 results)

  • [Journal Article] Material conversion of GaAs nanowires2017

    • Author(s)
      Kohei Nishioka, Hidetoshi Suzuki, Kentaro Sakai, Fumitaro Ishikawa
    • Journal Title

      Physica Status Solidi b

      Volume: 254 Pages: 1600522-1-5

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600522

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Dilute Nitride Nanowire Lasers Based on a GaAs/GaNAs Core/Shell Structure2017

    • Author(s)
      Shula Chen, Mattias Jansson, Jan E. Stehr, Yuqing Huang, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova
    • Journal Title

      Nano Letters

      Volume: 17 Pages: 1775-1781

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b05097

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] White-Light Emitters: (Al,Ga)Ox Microwire Ensembles on Si Exhibiting Luminescence over the Entire Visible Wavelength Range2016

    • Author(s)
      Fumitaro Ishikawa, Pierre Corfdir, Uwe Jahn, Oliver Brandt
    • Journal Title

      Advanced Optical Materials

      Volume: 4 Pages: 2016-2016

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1002/adom.201670068

    • Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] (Al,Ga)Ox Microwire Ensembles on Si Exhibiting Luminescence over the Entire Visible Wavelength Range2016

    • Author(s)
      Fumitaro Ishikawa, Pierre Corfdir, Uwe Jahn, Oliver Brandt
    • Journal Title

      Advanced Optical Materials

      Volume: 4 Pages: 2017-2020

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1002/adom.201600695

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Defect formation in GaAs/GaNxAs1-x core/shell nanowires2016

    • Author(s)
      Jan E. Stehr, Shula Chen, Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 109 Pages: 203103-1-5

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4967721

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Photoacoustic spectroscopy of absorption edge for GaAsBi/GaAs nanowires grown on Si substrate2016

    • Author(s)
      Szymon J. Zelewski, Jan Kopaczek, Wojciech M. Linhart, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, Robert Kudrawiec
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 109 Pages: 182106-1-5

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4966901

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Strongly polarized quantum-dot-like light emitters embedded in GaAs/GaNAs core/shell nanowires2016

    • Author(s)
      S Filippov, M Jansson, J E Stehr, J Palisaitis, P Persson, F Ishikawa, W M Chen, I Buyanova
    • Journal Title

      Nanoscale

      Volume: 8 Pages: 15939-15947

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1039/C6NR05168E

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Core shell carrier and exciton transfer in GaAs/GaNAs coaxial nanowires2016

    • Author(s)
      Shula Chen, Mattias Jansson, Stanislav Filippov, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova
    • Journal Title

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      Volume: 34 Pages: 04J104-1-5

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1116/1.4953184

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Presentation] Additional GaAs related nanowires2016

    • Author(s)
      Fumitaro Ishikawa
    • Organizer
      JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in spin and photon functionalities of semiconductor nanostructures,
    • Place of Presentation
      Jozankei Grand Hotel, Sapporo, Japan.
    • Year and Date
      2016-08-30 – 2016-08-31
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Novel GaNAs and GaNP-Based Nanowires ・Promising Materials for Optoelectronics and Photonics2016

    • Author(s)
      Irina Buyanova, Fumitaro Ishikawa, Charles Tu, Weimin Chen
    • Organizer
      IEEE NANO 2016- 16th International Conference On Nanotechnology
    • Place of Presentation
      Sendai International Center, Sendai, Japan
    • Year and Date
      2016-08-22 – 2016-08-25
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] GaAsBi Heterostructured Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy2016

    • Author(s)
      Fumitaro Ishikawa and Satoshi Shimomura
    • Organizer
      The 7th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • Place of Presentation
      Shanghai, China
    • Year and Date
      2016-07-24 – 2016-07-27
    • Invited

URL: 

Published: 2018-01-16  

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