2017 Fiscal Year Annual Research Report
Development of perovskite transition metal oxide persistent phosphor using combinatorial PLD method
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16H06721
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
村上 裕美子 (片山裕美子) 東京大学, 大学院総合文化研究科, 助教 (60748680)
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| Project Period (FY) |
2016-08-26 – 2018-03-31
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| Keywords | 蛍光体 / ペロブスカイト / 酸化物薄膜 / 残光 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
酸化物蛍光薄膜は、酸化物オプトエレクトロニクスを担う機能性材料の一つとして期待される。本研究では、コンビナトリアルパルスレーザー堆積（PLD）法を用いてペロブスカイト型遷移金属酸化物蛍光薄膜作製により、高輝度長残光蛍光体を開発することを目的として、具体的には、1)ペロブスカイト遷移金属酸化物をコンビナトリアルPLD法を用いて作成し、組成制御によりバンドギャップ、共添加物を変化させる、2) 顕微分光システムによる残光評価システムを構築し、バンドギャップ制御に伴う蓄光特性の変化を評価する、3) バンド端エネルギーと添加遷移金属イオンの局在エネルギーの位置関係を明らかにし、高輝度長残光蛍光体を開発することをめざし研究を行った。H29年度は、 (Ca,Sr)TiO3:Pr薄膜の検討を行った結果、H28年度に確立した分光顕微システムにより、紫外励起により強い蛍光が得られることが確認された。さらに、蛍光薄膜のバルク格子定数に対して、基板の格子定数とのミスマッチがあることにより、バンド端エネルギーが変化し、発光スペクトルに大きな変化が現れることが分かった。しかしながら、蛍光については顕微システムによる評価が可能であったが、蓄光性評価にはより高感度の測定系が必要であることが判明した。本研究の成果は、蛍光薄膜においてバンド端エネルギーと添加イオンの局在エネルギー位置を膜へのひずみによって制御できることを示す結果となった。
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| Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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