2016 Fiscal Year Annual Research Report
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16J12063
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
藤森 卓巳 静岡大学, 創造科学技術大学院, 特別研究員(DC1)
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2016-04-22 – 2019-03-31
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| Keywords | 光再構成型ゲートアレイ / ホログラムメモリ / 耐放射線プログラマブルデバイス |
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| Outline of Annual Research Achievements |
今年度は、ホログラフィック・スクラビング手法のより高速なスクラビングの実証、MEMSミラーデバイスの評価、ホログラフィック・スクラビング手法をサポートする光再構成型ゲートアレイの性能向上に関して研究を行った。
提案しているホログラフィック・スクラビング手法においては、以前より高速な70nsでの高速スクラビングを実証し、その成果を論文として発表した。この実証では、スクラビング周期を以前の実証と比較して約14倍に高速化した。その結果、3重システム実装（TMR）のケースにおいて、ソフトエラーによる平均誤動作間隔（MTBF）を既存のプログラマブルデバイスと比較して、約142万倍に拡張可能であることを実証した。加えて、このホログラフィック・スクラビング手法の実放射線環境での評価に向けて、スタンドアロンシステムの構築とリモートに、リアルタイムに評価できるモニタリングシステムの開発を行った。これらの環境は最終年度に予定している実放射線環境試験までに改良していく予定である。
ホログラムやレーザのアドレッシングに用いるMEMSデバイスにおけては、放射線耐性の評価を行い、その成果を論文として発表した。評価を行ったMEMSミラーデバイスは170Mradものガンマ線照射後でも問題なく動作することを確認した。この結果より、ホログラフィック・スクラビング手法の際に使用されるMEMSミラーデバイスは既存のプログラマブルデバイスのコンフィギュレーションメモリ部の放射線耐性（300krad～1Mrad）と比較して高い耐性を持つことがわかった。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
本研究では、既存のプログラマブルと比較してソフトエラー耐性を142万倍まで向上した光再構成型ゲートアレイを開発し、それらの実放射線環境での実証試験に向けたモニタリングシステム、スタンドアロンでの動作環境を整備もほぼ終えていることから、おおむね順調に進展している。
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| Strategy for Future Research Activity |
今後はα線源を用いて、実放射線環境での放射線耐性を実証していきたい。その過程ででる問題点を改善する手法を提案していきたい。また、最終的放射線耐性試験に向けて、実証に用いるモニタリングシステムの改良も行っていく。
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Research Products
(5 results)
