2018 Fiscal Year Annual Research Report
Improvement of Vacuum Ultraviolet Field Emission Lamp using Neodymium Ion Doped Lutetium Fluoride
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16K04961
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小野 晋吾 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40370126)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | 真空紫外 / フッ化物 / 発光素子 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
ネオジウム添加フッ化ルテチウム（Nd3+:LuF3）は、真空紫外領域における数少ない高い発光効 率を示す蛍光体である。電子線励起蛍光を利用した高出力真空紫外光源を実現するため、 Nd3+:LuF3 の電子線照射時の劣化機構を解明し、高い発光効率と高い電子線耐性を持つ Nd3+:LuF3薄膜化技術 を確立することが本研究の目的である。この目的達成のため、今年度はパルスレーザー堆積法によって作製したフッ化物薄膜へのアニール処理による品質改善を試みた。昨年度までに、ナノ秒レーザーを用いたパルスレーザー堆積装置において、ナノ秒レーザーの照射パワー及び基板温度を制御することにより、フッ化物薄膜のフッ素欠陥の制御が可能になっている。この薄膜に対して、真空中またはCF4ガス中でのアニール処理を行った。CF4中でのアニールに関しては、酸化の影響が強く表れた。これは、CF4ガス濃度が十分でなく、酸素などの混入の可能性が考えられることに加え、基板として用いた石英中の酸素も影響したと考えられる。一方、真空中アニールは200から600度の範囲で3時間行い、処理後の薄膜に対して、結晶性、光学特性、組成に関する評価を行った。この結果、結晶性および透過端付近における透過率の改善が確認できた。本成果は候補材料が限られている固体の真空紫外蛍光体開発において極めて重要な技術となる。
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