2017 Fiscal Year Research-status Report
常磁性低融点金属スパッタリングに用いる新規プラズマ源の研究開発
Project/Area Number |
16K05000
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
本村 大成 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (00635815)
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Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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Keywords | スパッタリング / 液体金属 / 窒素プラズマ / ガリウムターゲット / 窒化ガリウム |
Outline of Annual Research Achievements |
本研究の最終的な目的は、常磁性低融点金属を高密度プラズマでスパッタリングし、ターゲット材料のスパッタリング速度>1.0um/minを実現するプラズマ源の基盤技術を構築することである。本研究では、常磁性低融点金属の高速スパッタリングのために、E||Bの電磁場で高密度イオン流束を効率よく金属ターゲットに引き込む手法を提案する。
平成29年度の実施計画は、構築した高密度プラズマ生成システムに、本研究の核心部分となるE||Bターゲットホルダを追加整備することであった。整備後には前年度までに見出した高密度プラズマ生成条件の下で、E||Bターゲットホルダに常温で融解し液体金属となるGaを設置し、スパッタリングが行えるかどうかを検証する。
本年度の研究成果は以下である。前年度までに見出した高密度プラズマ生成条件において窒素ガスのみを用いてプラズマを生成し、液体Gaを保持させたE||Bターゲットホルダを用いてスパッタリングテストを行なったところ、非加熱のガラス基板上でも薄茶色の透明膜ができるスパッタリング条件があることを見出した。EDX分析により成膜した薄膜の主な組成はGa、N、O、であることを明らかにした。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
今年度の目標であるE||Bターゲットホルダの追加整備を行い、さらに動作確認を行うことができたため
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Strategy for Future Research Activity |
高密度プラズマ生成条件において、今年度追加整備したE||Bターゲットホルダの動作確認ができた。さらに本装置を用いると窒素プラズマと液体Gaターゲットを用いて、窒化ガリウム薄膜を成膜可能であることを示した。来年度は当初の実施計画どおりに、本装置における最適なGaN成膜条件の探索を行なっていく。
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Causes of Carryover |
見積額と調達金額の差異によるため、翌年度分として請求した助成金と合わせて計画通りに使用する予定である。
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Research Products
(4 results)