2017 Fiscal Year Annual Research Report
３次元積層型グラフェン/ルテニウム積層体からなる高容量電気二重層キャパシタの創製
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16K05732
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| Research Institution | Chuo University |
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Principal Investigator |
小澤 寛晃 中央大学, 研究開発機構, 助教 (50464152)
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2016-04-01 – 2018-03-31
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| Keywords | ルテニウム錯体 / グラフェン / ピレン / ホスホン酸 / カテコール |
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| Outline of Annual Research Achievements |
28年度と同様に、酸化還元特性を有するルテニウム金属錯体と優れた電気特性および高い比表面積を有するグラフェンやカーボンナノチューブなどの ナノ炭素材料のとの新規電気二重層キャパシタの創製を目的としている。本年度はグラフェンなどの炭素材料とルテニウム錯体との複合体化に焦点を当てて研究を行った。グラフェン表面へのルテニウム錯体の吸着などを行い、電気化学測定などにより、その吸着挙動を評価した。特にピレンアンカー基を有するルテニウム錯体について、重点的に研究を行い、ピレンアンカー基の置換位置の違いによるグラフェン表面での錯体の吸着状態の制御にも成功した。また、グラフェン表面への吸着を利用したグラフェントランジスタの物性制御などについても研究を進めた。
さらに、ルテニウム錯体にとどまらずカテコールユニットを用いたレドックス活性を有するポルフィリンと鉄イオンとの錯形成を利用した被膜作製法により、グラフェンの可溶化にも成功した。
今後はより電荷の貯蔵か可能なレドックス活性な金属錯体とグラフェンとの複合体化を目指すと共に、蓄電デバイスへの展開を行う。
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