• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2016 Fiscal Year Research-status Report

SiC薄膜成長過程のマルチスケール転位動力学の開発と底面-貫通転位変換過程の解明

Research Project

Project/Area Number 16K05967
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

泉 聡志  東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30322069)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 波田野 明日可  東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (20707202)
Project Period (FY) 2016-04-01 – 2019-03-31
Keywords分子動力学 / 4H-SiC / 転位
Outline of Annual Research Achievements

4H-SiC半導体素子は、次世代パワーデバイスとして国際的に競争が盛んな分野である。しかしながら、内在する結晶欠陥(転位と積層欠陥)が寿命に影響を及ぼし、欠陥の抑制が急務である。欠陥を減少させるために、基板上にエピタキシャル膜を形成し、底面転位を貫通転位に変換する底面転位―貫通転位変換プロセスが採用されているが、薄膜成長中の現象のため、常に表面構造が表面拡散と膜成長により変化しており、かつ表面応力・鏡像力などが重複して働く複雑な系であることら、そのメカニズムは不明なである、本研究では、薄膜成長中の表面拡散を取り入れた第一原理―古典分子動力学―転位動力学マルチスケール解析の体系化を行い、底面―貫通転位変換現象のメカニズム解明を目指す。
平成28年度は、Si-C電荷移動型原子間ポテンシャルの開発を行った。開発は、原子間ポテンシャル作成ソフトウェアkPot(http://www.fml.t.u-tokyo.ac.jp/potenfit)をオープンソース分子動力学ソフトウェアLAMMPSと組み合わせるなどバージョンアップしたものを用いた。
また、4H-SiC中の様々な転位の分子動力学によるモデリングに成功し、Si-Core,C-Core, 30°、90°転位などの移動度、安定性、表面での部分転位の縮退化などの傾向について検討した。加えて、SiC薄膜のエピタキシャル成長時の表面拡散のシミュレーションを行うことにより、表面に転位芯が存在する状態での表面拡散経路、表面構造の検討を行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

SiCポテンシャル開発については、現在投稿論文準備中であり、十分な成果が得られた。転位の分子動力学のモデリングと、エピタキシャル成長の分子動力学については、初期検討が行えたので、平成29年度に本格的な成果を得られるようにしたい。

Strategy for Future Research Activity

開発したSiCポテンシャルを改良しつつ、表面と転位の相互作用について、分子動力学を使って検討を行う。別途共同研究を行っている東芝・富士電機・産総研との議論を通じて、実用的なモデルを提案していく計画である。

  • Research Products

    (3 results)

All 2017 2016

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (2 results)

  • [Journal Article] Charge-transfer interatomic potential for investigation of the thermal-oxidation growth process of silicon2016

    • Author(s)
      So Takamoto, Tomohisa Kumagai, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Chioko Kaneta, Asuka Hatano, and Satoshi Izumi
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 120 Pages: 165109

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4965863

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 転位動力学シミュレーションに基づく4H-SiCの積層欠陥形状形成の再現2017

    • Author(s)
      榊間輝、波田野明日可、泉聡志、牛流章弘、廣畑賢治
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜、横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] 4H-SiCパワーデバイスの応力解析技術の構築2016

    • Author(s)
      榊間大輝、村上陽一、泉聡志、牛流章弘、廣畑賢治
    • Organizer
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ、新潟
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16

URL: 

Published: 2018-01-16  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi