2016 Fiscal Year Research-status Report
雰囲気制御分子線エピタキシャル結晶成長による規則的マイクロテクスチャの自律的創成
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16K06031
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| Research Institution | Tokyo National College of Technology |
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Principal Investigator |
角田 陽 東京工業高等専門学校, 機械工学科, 准教授 (60224359)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | 微細加工 / エピタキシャル成長 / テクスチャ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究におけるマイクロテクスチャとは，代表寸法がマイクロメートルオーダ以下の単位規則形状が無秩序に，または秩序よく規則的に整列配置されている面である．同面を持つ機械構造体や機械要素部品では，平滑面にはない，構造発色のような機能や摩擦減少等の省エネルギ化への寄与など，地球環境問題対策をはじめ，さまざまな分野への直接的・間接的な波及効果が期待できる．しかし，その創成技術の確立は十分とはいえない．そこで本研究では，規則的配列マイクロテクスチャ創成技術のひとつとして，雰囲気制御環境下での分子線エピタキシャル結晶成長における分子の自律的な整列現象により，従来にない多様な単位規則形状が整列したマイクロテクスチャの創成技術の確立をめざす．実際の試作実験や解析により，その創成技術の確立に資する知見を得ることを大目的としている．
なかでも，本研究では，雰囲気制御環境下での分子線エピタキシャル結晶成長における現象を解析し，その場合のマイクロテクスチャ創成技術として確立に資する知見を得ることをめざしている．雰囲気制御環境下における平滑基板上でのSiのエピタキシャル結晶成長実験により，単結晶Si基板での成長条件に対する，マイクロテクスチャの基本となる単位規則形状の創成との関係を実験的に検討した．雰囲気制御環境下における，マイクロテクスチャ面創成の明確化のための各種実験を実施し，一定の成果を得ることができている．
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
主実験装置および測定評価装置が不調であったことならびに諸事情により本研究に割く時間が想定どおりに行かなかったため．
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| Strategy for Future Research Activity |
実験装置は保守を実施済みで，また，測定評価装置についても本年度早期に点検を行うことで，主たる実験に取り組んでいく．
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| Causes of Carryover |
当該研究における主実験装置および測定評価装置の不調から実験の進行が滞ったため，次年度使用額が生じた．
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
主実験装置および測定評価装置の保守を実施し（前者は実施済），実験の進行を計画よりもややピッチを上げて実施する予定である．
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