2018 Fiscal Year Annual Research Report
A study on process and mold design to obtain quick bubble removal and residual layer uniformity on whole imprinting area
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16K06035
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
Youn SungーWon 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (80510065)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鈴木 健太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60709509)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | ナノインプリントリソグラフィ / 残膜均一化 / モールド設計技術 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
光ナノインプリント（UV-NIL）技術を多種多様なデバイスに適用するため、高速充填や欠陥（バブル欠陥や不均一残膜分布）の低減による高スループット、低コスト化が求められている。本研究の目的は、ナノインプリント領域全域に対しての充填挙動を明らかにし、凝縮性ガスを用いるUV-NILにおいて、高速充填や残膜均一化を可能にするリソグラフィ用モールドの設計技術の高度化を図ることである。
昨年度までの研究において、次の要素技術の開発を行った。モールドパターンの容積均一化用補正パターンジェネレータにおいて、モールドパターンの粗密が激しい場合にも対応できる補正機能を新たに実装することにより、汎用性を高めた。また、任意形状の配線パターンを有するテストパターンに対して、パターン補正による容積均一化やナノインプリントシミュレーションによる残膜均一化効果の評価を行い、残膜分布の標準偏差を1/5まで低減できることを示した。さらに、凝縮ガスを用いたUV-NIL時の充填速度の向上においては、充填挙動のリアルタイム観察システムを併用し、100nm-5μmのドットパターンに対して、1秒以内の充填ができることを明らかにした。その結果で得られた条件により、ホログラムパターン（最小線幅：300nm）サンプルの作製を実証した。
今年度には、これまで開発した技術を基に、(1) マスクレスレーザー描画装置を用いた容積均一化モールドの作製、(2) ナノインプリントシミュレーション技術及びと凝縮性ガスを用いるUV-NIL実験検証を行い、モールドパターンの容積均一化用補正パターンジェネレータによるパターン補正の残膜均一化効果を明らかにした。その結果を国際学会で発表し、ベストオーラルプレゼン賞を受賞した。
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