2016 Fiscal Year Research-status Report
厚さ方向に磁気異方性が変化する金属－酸化物グラニュラ薄膜のウェットプロセス形成
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16K06282
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| Research Institution | Nara National College of Technology |
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Principal Investigator |
藤田 直幸 奈良工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (90249813)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平井 誠 奈良工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (00534455)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2020-03-31
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| Keywords | 金属－絶縁物同時電析 / 磁気異方性 / 磁場中成膜 / 電磁波吸収材料 / グラニュラ膜 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
Fe-Co-Ce-O薄膜の組成と飽和磁化の関係を詳細に調べ、溶液中のFeイオン、Coイオン、Ceイオンの濃度と膜組成、磁気特性の関係を明らかにした。これによって、Fe-Co-Ce-O薄膜の最適成膜条件を明らかにすることができた。一方で、Fe-Co-Ce-O薄膜の面内組成ばらつきが大きいことが明らかになった。これは電流密度の不均一や、界面pH上昇が基板面内方向で不均一であることなどが原因であると考えられる。
一方、磁場中電析による磁気異方性の制御については、現有装置の磁場強度では、Fe-Co-Ce-O薄膜への磁気異方性の付与が行なえず、電磁石の磁界強度を大きくする必要があることが示唆された。そこで、アモルファスFe-B薄膜を磁場中電析し、磁気異方性の付与を試みたところ、膜組成が軟磁性を示す場合は、現有装置での磁気異方性の付与が行なえた。磁場中成膜による磁気異方性の制御の可能性を示すことができた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
Fe-Co-Ce-O薄膜に組成ばらつきが生じていることが明らかになったため、その対策をする必要が生じたことや、現有装置の磁場強度では、磁気異方性が付与できないことが明らかになったため、当初計画より遅れている。
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| Strategy for Future Research Activity |
まずは、Fe-Co-Ce-O薄膜の組成を均一にするために、電流密度を均一にするための補助電極の配置や、界面pHが均一になるような基板配置（水平な配置）を検討する。さらに、装置を改造し、磁場強度を増加させた状態でのFe-Co-Ce-O薄膜の磁場中電析を行い、異方性の付与を行う。また、Fe-B薄膜についても厚さ方向で異方性が変化した薄膜を作製し、異方性の変化が磁気特性や電磁波吸収特性に及ぼす影響を明らかにしていく。
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| Causes of Carryover |
進捗が送れ、国際学会への参加ができなかったことや、電磁石を既存の装置を使うことで実験を行ったことなどが使用額が低くなった理由である。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
電磁石の作製、実験セルの作製などの試作費用が今年度は大きくなると考えている。
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