2016 Fiscal Year Research-status Report
メモリスタによる高効率な高調波発生とそのミリ波回路への応用
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16K06315
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| Research Institution | Sophia University |
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Principal Investigator |
林 等 上智大学, 理工学部, 准教授 (70634963)
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2016-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | メモリスタ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
メモリスタ（Memristor）による高調波発生をミリ波帯で実現するために、本年度は高調波発生の原理実証および非線形性を有するメモリスタの開発および素子最適化に注力した。
組成Ge17Sb29Te54の素子において±0.4 V印加下での非線形性を用いて無給電下での高調波発生に成功した。具体的には、160 MHz、0 dBmの入力波に対し第3次高調波、5 dBm入力に対し第6次高調波を観測した。さらに、バイアス電圧依存性を調べ、非線形発生に該当する±0.4 V印加下での高調波増強を確認し、上記高調波発生がメモリスタの非線形性によるものであることを確認した。
同様に、組成Ge51Te49の素子においてもメモリスタの非線形性による高調波発生を確認している。Ge51Te49の素子においては+0.4 V印加下において強い高調波発生を確認した。
高調波発生は整合回路なしのテスト段階であり、今後、年度末に購入した回路基板をもちいて、さらなる素子最適化、性能向上を目指す。
並行して、メモリスタの材料、素子構造の最適化を進め、飛躍的なスイッチング回数の向上を得た。AgGeTe膜を使用したメモリスタにおいて10,000回以上の抵抗変化を得ると共に、酸化還元反応に伴う電流のピークの観測を得ることに成功した。この酸化還元反応に伴う電流は抵抗変化メカニズムの理解において重要な知見であり、今後、周波数依存性などについて研究を進めていく。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
メモリスタ（Memristor）による無給電下での高調波発生に成功した。
また、飛躍的なスイッチング回数の向上を得ることができた。
以上により、上記のように判断した。
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| Strategy for Future Research Activity |
高調波発生は整合回路なしのテスト段階であり、今後、年度末に購入した回路基板をもちいて、さらなる素子最適化、性能向上を目指す。
また、周波数依存性などについて研究を進めていく。
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| Causes of Carryover |
測定に必要な高周波プローブの購入時期を延期したため。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
高周波プローブを購入する。
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