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2018 Fiscal Year Annual Research Report

Detection and characterization of single-electron-trap in a semiconductor based on a metal-tip-induced current noise mechanism

Research Project

Project/Area Number 16K14240
Research InstitutionHokkaido University

Principal Investigator

葛西 誠也  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (30312383)

Project Period (FY) 2016-04-01 – 2019-03-31
Keywords半導体物性 / 単一電子トラップ / 評価解析 / 走査プローブ / 容量結合
Outline of Annual Research Achievements

半導体中の電子トラップは各種半導体デバイスの信頼性劣化の要因となっており、信頼性の本質的改善には個々のトラップの位置と性質を知り制御する必要がある。しかしながら個々のトラップを捉えて素子に与える影響を直接的に評価する手段がまだない。本研究の目的は、独自に見いだした金属短針と半導体表面の微小領域容量結合による雑音誘起メカニズムと高い空間分解能をもつ走査プローブ顕微鏡技術を組み合わせた新しい計測系を確立し、単一電子トラップを評価する手法を開拓することである。
平成30年度は、本研究の電荷検出技術の応用展開を図り、単一分子からなる微小ナノ粒子の電荷状態の時間変化計測を試みた。計測対象分子として多数の電荷を充放電することが知られているポリ酸(polyoxometalate、POM)を用い、電荷センサとなるGaAs系ナノワイヤ表面に所望の密度の分子ナノ粒子を分散する方法と条件を確立した。低密度のPOMナノ粒子を分散させた状態でAFM金属短針をアプローチし、ナノ粒子と短針が容量結合した状態においてナノワイヤ電流変動が
生じること、および、短針にバイアス印加することで大きな電流変動を実験的に捉えた。観測された電流変動量から電荷量を見積り、多数の電荷が一斉に充放電することを明らかにした。Nature Communication 9, p. 2693 (2018)でTanakaらが仮説として立てていたPOMナノ粒子の一斉電荷充放電を実験実証することに成功した。さらに電流変動量は大気中の湿度と強く相関しており、環境の水分子が多いほど電流変動量が大きくなることを見いだした。この結果から、POMナノ粒子の特徴的な電荷ダイナミクスが環境との相互作用により生まれていることがわかった。

  • Research Products

    (13 results)

All 2019 2018 Other

All Journal Article (2 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Peer Reviewed: 2 results) Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results,  Invited: 2 results) Book (1 results) Remarks (2 results)

  • [Journal Article] ormation and characterization of charge coupled structure of polyoxometalate particles and a GaAs-based nanowire for readout of molecular charge states2019

    • Author(s)
      K. Sasaki, S. Okamoto, S. Tashiro, T. Asai, and S. Kasai
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: - Pages: -

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab09d1

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Energy gap opening by crossing drop cast single-layer graphene nanoribbons2018

    • Author(s)
      T. Yamada, H. Fukuda, T. Fujiwara, P. Liu, K. Nakamura, S. Kasai, A. L. Vazquez de Parga, and H. Tanaka
    • Journal Title

      Nanotechnology

      Volume: 29 Pages: 315705.1ー10

    • DOI

      10.1088/1361-6528/aac36b

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Presentation] Ni-グラフェン接合の界面構造と接触抵抗の相関2019

    • Author(s)
      殷翔、葛西誠也
    • Organizer
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] ナノ人工物メトリクスのためレジスト倒壊ランダムパターン形成と評価2019

    • Author(s)
      呂任鵬、清水克真、殷翔、上羽陽介、石川幹雄、北村満、葛西誠也
    • Organizer
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Electronic Representation of Nature-inspired Functions for Nano-scale Electronic Systems2018

    • Author(s)
      S. Kasai
    • Organizer
      Nanotech Malaysia 2018
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Stochastic resonance in electron devices and its application2018

    • Author(s)
      S. Kasai
    • Organizer
      ACSIN 2018 Informal Satellite Workshop Material Intelligence -Unconventional Computing by Network-based Materials-
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Charge Coupling between Polyoxometalate Molecule and a GaAs-Based Nanowire for Readout of Molecular Multiple Charge State2018

    • Author(s)
      K. Sasaki, S. Okamoto, S. Tashiro, T. Asai, and S. Kasai
    • Organizer
      31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Study on Electrical Discrimination of 2D Random Nanostructures Embedded in a Si MOSFET2018

    • Author(s)
      K. Shimizu, Y. Ueba, M. Kitamura, Y. Ohyagi, M. Hoga, N. Tate, M. Naruse, T. Matsumoto and S. Kasai
    • Organizer
      31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ドレイン電流によるMOSFETに埋め込まれたナノ構造のサイズと位置の識別2018

    • Author(s)
      清水克真、上羽陽介、北村満、大八木康之、法元盛久、竪直也、成瀬誠、松本勉、葛西誠也
    • Organizer
      電子情報通信学会ハードウェアセキュリティ研究会
  • [Presentation] 金属電極に接触したグラフェンの電気伝導とそのコンタクト抵抗の基礎検討2018

    • Author(s)
      殷翔、葛西誠也
    • Organizer
      第9回分子アーキテクトニクス研究会
  • [Book] 4:揺らぎを利用したエレクトロニクス2018

    • Author(s)
      葛西誠也
    • Total Pages
      8 (201)
    • Publisher
      化学同人
    • ISBN
      4759813918
  • [Remarks] 研究室ホームページ

    • URL

      http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/labo/qid/

  • [Remarks] 北海道大学大学院情報科学院/大学院情報科学研究院 ネットジャーナル44

    • URL

      https://www.ist.hokudai.ac.jp/netjournal/net_44_1.html

URL: 

Published: 2019-12-27  

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