2017 Fiscal Year Research-status Report
最悪時評価で理論的限界に肉薄する符号化による多値セル不揮発性メモリの書き込み削減
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16K16028
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
多和田 雅師 早稲田大学, 理工学術院, 講師(任期付) (80754887)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | 書き込み削減符号 / 不揮発性メモリ / 多値メモリ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
不揮発性メモリは不揮発性などの長所がある一方で,書き込みエネルギーが大きいことや書き込み耐性が低いことなどの短所がある. この短所に対し, 不揮発性メモリ内に書き込む情報を符号化することで書き込みの総量を減らす手法が存在する. 書き込み量をビットレベルで最小化する手法は既に提案されているが, 多値メモリでは書き込み量をセルレベルで考慮する必要がある. 平成29年度ではワーストケースでもセルレベルで書き込み総量を最小化できるメモリ符号化技術の実装を提案した. 各メモリセルの状態を1シンボルとみなし, 1ワードを表す線形空間を考える. ハミング重みが1以下となるワードから部分空間を作成し, 線形空間全体を部分空間とその商空間に分ける. 部分空間の要素と情報源を対応させる. 線形空間全体は部分空間と商空間の直積で表現されるため, その線形空間上のワードは部分空間との対応付けにより一意に情報源に復号できる. この符号化により情報に対しどんな情報に対してもその書き込み量が1ワードあたり1セルになるように線形符号を構築できる. セル長に対して最適な書き込み量削減を達成した.
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
実施計画に従い研究を推進した．
平成29年度では研究課題である最悪時評価で理論的限界に肉薄する符号化による多値セル不揮発性メモリの書き込み削減に対して, セルレベルで1ワードあたりの不揮発性メモリ書き込み量をワーストケースで最小化するメモリ符号化技術に対して1実装を与えた.
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| Strategy for Future Research Activity |
平成29年度の書き込み量削減メモリ符号化技術に対しハードウェアコストの削減を研究する. より汎用的な書き込み量削減の方式を研究する.
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| Causes of Carryover |
今年度使用額の端数として次年度使用額が生じた. 次年度消耗品費に使用する.
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