コーン磁化薄膜を利用した高速・低消費電力MRAM素子の理論研究

Products Report

• Project/Area Number: 16K17509
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Research Field: Applied materials
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: Matsumoto Rie 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10635303)
• Research Collaborator: IMAMURA hiroshi ; ARAI Hiroko
• Project Period (FY): 2016-04-01 – 2019-03-31

Research Products

• [Patent(Industrial Property Rights)] 磁気抵抗素子 (2021)
  • Inventor(s): 松本 利映, 荒井 礼子, 湯浅 新治, 今村 裕志
  • Industrial Property Rights Holder: 産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2017-025451
  • Overseas