• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2016 Fiscal Year Research-status Report

フォノン閉じ込めによる太陽電池エネルギー変換効率向上策の提案

Research Project

Project/Area Number 16K17511
Research InstitutionChiba University

Principal Investigator

MA BEI  千葉大学, 大学院工学研究科, 助教 (90718420)

Project Period (FY) 2016-04-01 – 2019-03-31
Keywordsフォノン / 励起子 / キャリア / ダイナミクス
Outline of Annual Research Achievements

(1)ヘテロ接合界面でのフォノン輸送・キャリア動的過程計算
AlxGayInzN(x+y+z=1)の組成制御によるフォノンバンド制御を行ったヘテロ界面における、光学・音響フォノンの分解・結合を考慮した反射・透過過程の数値計算を行った。In組成zを変えることで、バンド不連続とピエゾおよび変形ポテンシャル差によるフォノン輸送速度の非等方性を変化する可能性を証明した。基板をGaNとした場合に、フォノン輸送の非対称性が期待できる超格子構造の一例としてAlN3 (Al0.24 In0.76 N) 1 / AlN1 (Ga0.925 In0.075 N) 3 ヘテロ接合を提案した。
(2)量子井戸構造のフォノン・キャリア動的過程計算
上記を基盤にAlGaN系量子井戸構造を想定し、井戸内のピエゾ電解、自発内部電界を取り入れ、キャリア・フォノン・励起子の動的過程の変化機構の一部を解明した。量子構造はヘテロ構造によりフォノン閉じ込めが強められると同時に、電子・正孔の波動関数の重なりが増え、発光再結合が増加すると証明した。さらに、フォノン局在性をパラメーターとして、光学フォノンと音響フォノンを比較した結果、音響フォノン密度が光学フォノンより2桁高いにも関わらず、光学フォノンのほうがキャリア取り出し率に最も影響することが判明した。その光学フォノン局在寿命を2桁変化させた場合、励起子として、キャリア取り出し効率向上の可能性について、シミュレーションで検証し、励起子へ影響は長時間に継続し、200 ps にも上回った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

「研究実施計画」(3)不純物・結晶欠陥のキャリア動的過程理論計算を行うに至っていないが、(1)ヘテロ接合界面でのフォノン輸送・キャリア動的過程計算や(2)量子井戸構造のフォノン・キャリア動的過程計算は行った。

Strategy for Future Research Activity

不純物・結晶欠陥のキャリア動的過程理論計算を行う。更に実験において、結晶欠陥、ヘテロ構造、量子井戸構造の光学・電流同時測定及び解析へ移して、シミュレーションの計算結果を実験結果と比較する。

  • Research Products

    (25 results)

All 2017 2016 Other

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (20 results) (of which Int'l Joint Research: 7 results,  Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Raman study of the quantum interference of multiple discrete states and a continuum of states in the phonon energy region of semiconductors: examples of p-type Ga0.5In0.5P films2016

    • Author(s)
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • Journal Title

      Journal of Physics D: Applied Physics

      Volume: 49 Pages: 375107

    • DOI

      https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/37/375107

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Theoretical investigation of nonthermal equilibrium exciton dynamics in GaN using hydrogen plasma model2016

    • Author(s)
      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FM06

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FM06

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Depth profile characterization technique for electron density in GaN films by infrared reflectance spectroscopy2016

    • Author(s)
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FH02

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FH02

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Excitation and deexcitation dynamics of excitons in a GaN film based on the analysis of radiation from high-order states2016

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • Journal Title

      Journal of Physics D: Applied Physics

      Volume: 49 Pages: 245102

    • DOI

      doi:10.1088/0022-3727/49/24/245102

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算2017

    • Author(s)
      野町健太郎, 大木健輔, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] 磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析2017

    • Author(s)
      松本大、馬ベイ、森田健、福井一俊、木村真一、飯塚拓也、石谷善博
    • Organizer
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] GaNにおける励起子及び自由キャリアの密度とレート係数の理論計算2017

    • Author(s)
      大木 健輔, 野町健太郎, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] 金属/半導体複合構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モード共鳴赤外光吸収とポラリトン損失2017

    • Author(s)
      竹内映人、坂本裕則、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] AlN/金属ストライプ構造のラマン散乱スペクトルにおける A1-E1選択則の崩れに関する検討2017

    • Author(s)
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] Phononic phenomenon in carrier dynamics and interaction with radiation in III-nitride materials2017

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Okim Hironori Sakamoto, and Ken Morita
    • Organizer
      3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-3)
    • Place of Presentation
      Tohoku university, Japan
    • Year and Date
      2017-01-16 – 2017-01-18
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Phonon Engineering of Semiconductors in THz frequency region2016

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
    • Organizer
      International Conference on Science and Engineering
    • Place of Presentation
      Yangon Myanmar
    • Year and Date
      2016-12-10 – 2016-12-11
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electronic transition dynamics of deep levels in a p-GaN film analysed by time resolved PL measurements using two excitation laser beams2016

    • Author(s)
      Hla Myo Tun, Ryo Shouji, Bei Ma, Ken Morita, Kenji Shiojima
    • Organizer
      International Conference on Science and Engineering
    • Place of Presentation
      Yangon Myanmar
    • Year and Date
      2016-12-10 – 2016-12-11
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] p-Ga0.5In0.5Pにおける複数種LOフォノン系量子干渉効果および、フォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算2016

    • Author(s)
      坂本裕則、馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      第5回結晶成長未来塾
    • Place of Presentation
      東京農工大学小金井キャンパス(東京),
    • Year and Date
      2016-11-07 – 2016-11-07
  • [Presentation] Simulation of carrier-exciton-phonon dynamics in GaN in non-equilibrium state2016

    • Author(s)
      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • Place of Presentation
      Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida
    • Year and Date
      2016-10-02 – 2016-10-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Exciton dynamics and stability of GaN in non-thermal equilibrium state by the analysis taking into account the higher-order exciton states2016

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, K. Takeuchi, T. Iwahori, K. Oki, K. Nomachi, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016 (IWN2016)
    • Place of Presentation
      Orland, U.S.A.
    • Year and Date
      2016-10-02 – 2016-10-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] p 型Ga0.5In0.5P における高濃度p型ドープ試料におけるフォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算2016

    • Author(s)
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] 半導体/金属複合構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モードでの赤外光吸収2016

    • Author(s)
      竹内映人,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] GaNにおける励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算2016

    • Author(s)
      野町健太郎,岩堀友洋, 大木健輔, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] フォノンの吸放出による電子・励起子系エネルギーの励起過程2016

    • Author(s)
      馬ベイ,三宅秀人,平松和政,石谷善博
    • Organizer
      2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] Introducing of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN Based on Collisional Phononic and Radiative Model2016

    • Author(s)
      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      CSW2016
    • Place of Presentation
      Toyama, Japan
    • Year and Date
      2016-06-25 – 2016-06-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Quantum interference of three LO modes in p-type Ga0.5In0.5P: Contribution of a trigonal phonon mode2016

    • Author(s)
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      ISCS2016
    • Place of Presentation
      Toyama, Japan
    • Year and Date
      2016-06-25 – 2016-06-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算2016

    • Author(s)
      野町健太郎,岩堀友洋, 大木健輔, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • Place of Presentation
      京都大学
    • Year and Date
      2016-05-09 – 2016-05-10
  • [Presentation] 非熱平衡状態におけるGaN励起子ダイナミクスの実験解析及び数値計算2016

    • Author(s)
      馬ベイ,竹内和真,三宅秀人,平松和政,石谷善博
    • Organizer
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • Place of Presentation
      京都大学
    • Year and Date
      2016-05-09 – 2016-05-10
  • [Presentation] ラマン散乱スペクトルにおけるファノ干渉を用いた窒化物半導体の正孔濃度評価モデルの検討2016

    • Author(s)
      坂本裕則、馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • Place of Presentation
      京都大学
    • Year and Date
      2016-05-09 – 2016-05-10
  • [Remarks] 量子デバイス研究室

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/jisseki.html

URL: 

Published: 2018-01-16  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi