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2018 Fiscal Year Annual Research Report

Control of Polarization-Induced Electric Field in Nitride-Semiconductor-Based Devices

Research Project

Project/Area Number 16K18074
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

谷川 智之  東北大学, 金属材料研究所, 講師 (90633537)

Project Period (FY) 2016-04-01 – 2019-03-31
Keywords窒化物半導体 / 極性・分極 / InGaN / 分極電界
Outline of Annual Research Achievements

巨大な分極を有する半導体デバイスの性能向上に向けて、デバイス動作時に極めて近い状態で分極電界を定量評価し、バンドプロファイルを制御する技術を確立することを目的とする。これまでの研究では、従来の窒化物半導体デバイスに対して分極電界の向きが逆方向に加わるN極性発光ダイオードおよび高電子移動度トランジスタを作製し、電界の方向と強度を定量評価する技術の確立を試みてきた。デバイスに交流電圧を変調信号として印加し、電界変調反射スペクトルを測定した。その結果、内部電界の向きと強度に応じて反射信号の形状が変化し、電界の向きや強度を定量評価できることが分かった。N極性GaN/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタでは、分極不連続に起因して上層側のGaN/AlGaNヘテロ界面近傍に二次電子ガスが蓄積することが分かった。さらに、GaNにInを添加したInGaN混晶を作製することにより分極不連続量が増加し、InNモル分率が0.11のときに二次元電子ガス濃度が2倍程度となることが分かった。
平成30年度は、さらに分極効果を増強させるために高InNモル分率InGaN成長技術について研究を行った。InGaNは混晶組成に伴い格子定数が大きく変化する。そのため、高InNモル分率InGaNはAlGaNやGaNとの格子不整合率が極めて大きく、歪成長させることが難しい。InNモル分率InGaNの格子緩和過程を詳細に調べるために、分子線エピタキシー法でGa極性GaNおよびN極性GaN上にInNモル分率0.30程度のInGaNを80 nm程度結晶成長させ、格子緩和過程を逆格子マッピング測定により観察した。その結果、InGaNは10 nm以下の薄膜で速やかに格子緩和することが分かった。このような格子不整合の大きな系では、歪による圧電分極効果は期待できず、自発分極の不連続に起因した分極効果のみ発現すると考えられる。

  • Research Products

    (15 results)

All 2019 2018

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (12 results) (of which Int'l Joint Research: 7 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Multiphoton-Excitation Photoluminescence as a Tool for Defect Characterization of GaN Crystal2019

    • Author(s)
      Tanikawa Tomoyuki
    • Journal Title

      Materia Japan

      Volume: 58 Pages: 144~149

    • DOI

      10.2320/materia.58.144

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Observation of Threading Dislocation in Thick GaN Crystal Using Inelastically Scattered Electron2018

    • Author(s)
      Kiguchi Takanori、Shiraishi Takahisa、Konno Toyohiko J.、Tanikawa Tomoyuki
    • Journal Title

      Materia Japan

      Volume: 57 Pages: 615~615

    • DOI

      10.2320/materia.57.615

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術2018

    • Author(s)
      谷川 智之、プラスラットスック キャッティウット、木村 健司、窪谷 茂幸、松岡 隆志
    • Journal Title

      日本結晶成長学会誌

      Volume: 45 Pages: 1-6

    • DOI

      10.19009/jjacg.3-45-1-01

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Evaluation of deep levels in N-polar GaN epitaxial layers by photo-current DLTS: An approach to reveal the self-compensation effect of Mg doping in p-type GaN2018

    • Author(s)
      H. Okamoto, H. Suzuki, R. Nonoda, and T. Tanikawa
    • Organizer
      4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs2018

    • Author(s)
      T. Suemitsu,Kiattiwut Prasertsuk,T. Tanikawa,T. Kimura,S. Kuboya,and T. Matsuoka
    • Organizer
      2018 MRS Fall Meeting
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Defect structure analysis of N-polar InGaN/GaN quantum-well structure2018

    • Author(s)
      T. Kiguchi, Y. Kodama, T. Shiraishi, T. J. Konno, and T. Tanikawa
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology2018

    • Author(s)
      Y. Chen,T. Kiba,J. Takayama,A. Higo,T. Tanikawa,S. Samukawa,and A. Murayama
    • Organizer
      12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN2018

    • Author(s)
      T. Tanikawa,T. Fujita,K. Kojima,S. F. Chichibu,and T. Matsuoka
    • Organizer
      The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Growth of Indium-Including Nitride Semiconductors2018

    • Author(s)
      T. Matsuoka,S. Kuboya,and T. Tanikawa
    • Organizer
      The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs2018

    • Author(s)
      T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka
    • Organizer
      Compound Semiconductor Week 2018
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長2018

    • Author(s)
      松岡隆志,谷川智之,窪谷茂幸
    • Organizer
      第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)
    • Invited
  • [Presentation] InGaN/GaNヘテロ構造のRF-MBE成長における格子緩和過程のその場観察:格子極性の影響2018

    • Author(s)
      谷川智之,山口智広,藤川誠司,佐々木拓生,高橋正光,松岡隆志
    • Organizer
      第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)
  • [Presentation] 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果2018

    • Author(s)
      末光哲也,Prasertsuk Kiattiwut,谷川智之,木村健司,窪谷茂幸,松岡隆志
    • Organizer
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開2018

    • Author(s)
      松岡隆志,窪谷茂幸,谷川智之,加納聖也
    • Organizer
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] N極性InGaN/GaN量子井戸構造における構造の不均一性2018

    • Author(s)
      木口賢紀,白石貴久,兒玉裕美子,今野豊彦,谷川智之
    • Organizer
      第79回応用物理学会秋季学術講演会

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Published: 2019-12-27  

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