2006 Fiscal Year Annual Research Report
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17038009
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
五神 真 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (70161809)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HEROUX Jean Benoit 東京大学, 大学院工学系研究科, 助手 (00431792)
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| Keywords | 磁性 / 光スイッチ / 強相関エレクトロニクス / テラヘルツ / 赤外材料・素子 |
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| Research Abstract |
1.磁性材料における超短パルス光の照射による高効率テラヘルツ発生の原理と応用
磁性半導体GaMnAsにフェムト秒パルス光を照射することで生じる、磁化と相関を持つ高効率テラヘルツ光パルスの発生を観測してきた。昨年度に引き続き、偏光依存性やサンプル方位依存性、励起強度依存性など系統的な実験を行った。その結果を踏まえ、内部磁化によって加速される光励起キャリアが双極子放射によってテラヘルツ波を発生する、という観点からこの放射メカニズムの解明を進めた。
2.テラヘルツ光の磁場成分による強磁性体の磁化制御
テラヘルツ磁場成分による磁化制御実証のため、高強度テラヘルツパルス光発生の準備を進め、また高い周波数で応答する磁性体の探索を行った。特に、昨年度と異なり磁気異方性の小さな物質に着目して、各種磁性共鳴を利用する実験の可能性を検討した。さらに、テラヘルツ時間領域分光法の特性を生かすことで、このような物質系を利用するコヒーレント光学現象の新しい検証法への応用を探った。
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