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2006 Fiscal Year Annual Research Report

スピン機能材料のデザイン及びスピン偏極電流解析手法の開発・応用

Research Project

Project/Area Number 17064001
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

長尾 和多加  東北大学, 電気通信研究所, 助手 (00361197)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 三浦 良雄  東北大学, 電気通信研究所, 助手 (10361198)
白井 正文  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70221306)
佐久間 昭正  東北大学, 大学院工学研究科, 教授 (30361124)
Keywords第一原理計算 / 輸送 / 表面・界面 / 磁性 / スピントロニクス
Research Abstract

ハーフメタルをトンネル磁気抵抗(TMR)素子の磁性金属リードとしたとき、スピン反転のプロセスを考えずに伝導計算を実行すると、反平行磁化では必ず伝導が消えてTMR比が無限大になる。これは、ハーフメタルが一方のスピンに対してギャップをもつため、波動関数のつながっていくべき状態がリード内に存在しないからである。しかし現実の系ではスピン反転のプロセスが存在し、界面状態を介したトンネル伝導のためTMR比も有限にとどまる。このTMR比の過大評価は、実は通常の磁性金属リードの場合でも多かれ少なかれ起きていると考えられる。
本年度はこの困難を回避する手続を、TMR比の下限を探る方向から模索した。まずひとつは、磁性金属部分を薄くし、その外側に非磁性金属を半無限リードとして取り付けるというものである。ここではスピン反転による界面状態への電子の供給(界面状態からの電子の除去)を、非磁性金属と界面状態との電子のやり取りに置き換えている。そして磁性金属をできるだけ薄くし、電子のやり取りが極めて速やかに起きるように設定した。この手法を用いることで、ハーフメタリック・リードの場合でも有限のTMR比が求まり、また、Fe/MgO/Fe系のTMR比も通常の計算結果より小さくなることが確認できた。もうひとつの手続きは、磁性金属/絶縁層の多層膜を扱い、その交流伝導度をみるというものである。電子の往復運動を見ているため、スピン反転のプロセスを考えずとも、界面状態をトンネル伝導に十分寄与させることが可能になる。この手法をCo_2CrAl/GaAs多層膜に適用することで、(110)界面の場合にはTMR比が極めて高くなるとの予測も得られている。

  • Research Products

    (1 results)

All 2007

All Journal Article (1 results)

  • [Journal Article] Coherent tunnelling conductance in magnetic tunnel junctions of half-metallic full Heusler alloys with MgO barriers2007

    • Author(s)
      Y.Miura, H.Uchida, Y.Oba, K.Nagao, M.Shirai
    • Journal Title

      J. Phys. : Condens. Matter 19巻(in press)

URL: 

Published: 2008-05-08   Modified: 2016-04-21  

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