2007 Fiscal Year Annual Research Report
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17069003
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
岩佐 義宏 Tohoku University, 金属材料研究所, 教授 (20184864)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
竹谷 純一 大阪大学, 理学研究科, 准教授 (20371289)
田口 康二郎 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70301132)
竹延 大志 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (70343035)
下谷 秀和 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (60418613)
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| Keywords | 有機ゲート絶縁膜 / 両極性トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 発光トランジスタ / 有機トランジスタ / 有機半導体単結晶 / ナノ界面 / キャリア移動度 |
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| Research Abstract |
岩佐は、本年度、有機半導体における重要な界面のひとつである半導体・金属界面のショットキー接合に関する研究を集中的に行い、その本質的な性質を明らかにした。有機単結晶に対してインジウムを蒸着することによって非常に良質の接合を作製することに成功し、それを用いたショットキーダイオードと、MES-FETの作製を行った。その結果、有機半導体の空亡層が数ミクロンまで広がることを実証し、無機半導体における原理が基本的に適用できることを明らかにした。さらに、デバイス特性を定量的に解析することによって、ショットキー接合におけるバンドの曲がりなど、半導体としての理解に必須な様々なパラメータを制度よく決定することに成功した。
竹谷は、分子スケールで平坦な表面をもつルブレン薄片状単結晶を半導体層とし、さらにゲート絶縁膜には同じく薄片状のジフェニルアントラセン有機単結晶を用いることによって、有機単結晶どうしの分子スケールで平坦なナノ界面を用いた電界効果トランジスタデバイスを作製した。その結果、40-45cm^2/Vs程度に移動度が向上した[M.Yamagishi et al.,Appl.Phys.Lett.90,182187(2007)]。その他に、ルブレン単結晶とイオン液体の固体/液体ナノ界面においても、高移動度のキャリア伝導層を構築した[S.Ono et al.,Appl.Phys.Lett.In press]。さらに、本領域内の阪大桑原グループとの共同で高移動度ナノギャップ単結晶トランジスタを開発し、同じく東工大真島グループとの共同でルブレン単結晶トランジスタの変位電流特性によるキャリア注入レートの精密測定を行った。
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