2006 Fiscal Year Annual Research Report
同軸円筒ガスカーテン中での高速Zピンチ放電を用いた次世代デブリフリーEUV光源
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17206025
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
堀田 栄喜 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授 (70114890)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
堀岡 一彦 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授 (10126328)
沖野 晃俊 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授 (60262276)
河村 徹 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 講師 (10370214)
渡辺 正人 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助手 (20251663)
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| Keywords | デブリフリー / EUV光源 / 同軸二重ノズル / Zピンチ / ガスカーテン / デイフューザー / プラズマダイナミクス / MPC回路 |
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| Research Abstract |
本研究は,デブリフリーで高品質かつ高出力の次世代リソグラフィー用EUV光源を開発するために,(1)電源蓄積エネルギーからEUV光への変換効率の増大,(2)デブリ発生の抑制,(3)これらによっても抑制できないデブリ除去のために放電ガスと相互干渉しないデブリシールドの開発,を行うことを目的としている。本年度の研究により,以下の結果を得た。
1.電源からプラズマへ注入されるエネルギー転送効率を増大させるためには回路インダクタンスの大幅な低減が必要である。このためLC反転型電源および2段のMPC回路を用いることにより最終段の浮遊インダクタンスを可能な限り低減した電源回路を製作し,短絡負荷試験により,パルス幅260ns,最大電流22kAの放電電流を得た。
2.放電部の低インダクタンス化のために,同軸二重ノズル放電部の設計を新たに行い,電極間にキャピラリが存在しない放電ヘッドを製作した。
3.電気入力からEUV光への変換効率を増大することを目的に,効果的なRF予備電離によりプラズマジェットを生成し,これにZピンチ放電を行うことを計画している。このため,RF電源とZピンチ電源の電気的絶縁をとる必要があり,放電電源の最終段を誘導結合回路としている。プラズマ負荷を用いた実験により原理確認を行い,絶縁に関しては良好な結果が得られた。
4.プラズマジェットを用いた放電においては,真空容器内が弱電離プラズマで満たされるため,主放電時にプラズマジェット以外の部分で放電が生じ,Zピンチプラズマが得られなかった。真空容器内を高真空に保つために,次年度においてディフユーザを設置する予定である。
5.流れの可視化のため,LIF用色素レーザの整備を行った。
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