2008 Fiscal Year Final Research Report
Study on the Optimal Design of Molecular Transistors in Next Generation Based on a Quantum Mechanical Simulation
| Project/Area Number |
17360163
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Kobe University |
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Principal Investigator |
OGAWA Matsuto Kobe University, 大学院工学研究科, 教授 (40177142)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SOUMA Satofumi 神戸大学, 大学院工学研究科, 准教授 (20432560)
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| Project Period (FY) |
2005 – 2008
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| Keywords | 分子デバイス / デバイス物理 / 素子設計 / 非平衡グリーン関数法 / 第一原理バンド構造計算 |
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| Research Abstract |
スケーリングリミットに近づいたシリコン系デバイスの次世代の代替候補として分子エレクトロニクス材料に焦点を当て,ナノ材料設計及びデバイス設計に関して第一原理電子状態解析とNEGF法に基づき主としてGNR(グラーフェンナノリボン=Carbon系)およびPDT(ポリドデシルチオフェン)系の分子構造に伴う電子状態解析結果とデバイス構造設計によるデバイス特性解析結果,及び解析手法を開発し,PDT系材料のスイッチとしての分子デバイスへの応用が可能となることを明らかにした.シリコン系材料の置換の可能性が開け,次世代ナノ材料・デバイス設計も可能となり,産業技術への展開が可能となると考えられる.
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