2007 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
17360346
|
|---|
| Research Institution | National Institute for Materials Science |
|---|
Principal Investigator |
大久保 忠勝 National Institute for Materials Science, 磁性材料センター, グループリーダー (00242462)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
宝野 和博 独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター, フェロー (60229151)
高橋 有紀子 独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター, 主任研究員 (50421392)
|
|---|
| Keywords | FePt / 垂直磁気記録 / ホイスラー合金 / スピン分極率 |
|---|
| Research Abstract |
超高密度磁気記録技術を実現するために、FePt垂直磁気異方性薄膜の作製と磁気特性及び微細組織評価、CCP-GMR膜構造の解析、高分極率ハーフメタル薄膜の試作を行った。
1.FePt垂直磁気異方性薄膜の作製と磁気特性及び微細組織評価:垂直記録媒体への応報を意識して、粒子分布及び粒子サイズの小さいグラニュラー薄膜の検討を行った。MgO下地上にFePtを成膜することにより、c軸配向したFePtグラニュラー膜を合成した。また、FePtとCあるいはSiO_2をマトリックスとしたグラニュラー膜を作製し、平均粒子径約6.2nm、粒子分散が1.7nmの膜の合成に成功した。しかし、粒子サイズの減少とともに規則度が減少した。粒子径が小さくなっても高い規則度を実現することが今後の課題となる。また、軟磁性下地層であるFeTaCについても検討を行った結果、約15mOeの非常に小さい保磁力および1.6Tの高い飽和磁束密度を達成した。
2.CCP-GMR膜構造の解析:FIBを用いてサンプル作製を行い何度かトライしているものの、まだ解析には成功していない。今度、レーザーアトムプローブを用いることによって、解析が可能になるものと思われる。
3.高分極率ハーフメタル薄膜の試作:点接触アンドレーエフ反射法を用いて高いスピン分極率を示す材料の探索を行った。その結果、Co_2Ti_xMn_<1-x>Sn系でx=0.25のときにスピン偏極率が0.65、Co_<2-x>Fe_xCrGa系でx=0.05のときに0.65が得られた。この値はハーフメタルの予想に反して低いものであったが、Co基ホイスラー合金のPCAR法により得られたスピン偏極率の中では最も高いものである。Co_2Ti_xMn_<1-x>Sn系のスピン偏極率の増加はE_fのバンドギャップ中央へのシフト、Co_<2-x>Fe_xCrGa系はE_fレベルの↑スピンの状態密度の増加によるものと考えている。
|
