2005 Fiscal Year Annual Research Report
f電子系における磁気的不安定点近傍の電子状態の研究
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17540343
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
寺嶋 太一 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノマテリアル研究所, 主幹研究員 (40343834)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鈴木 博之 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノマテリアル研究所, 主任研究員 (60354370)
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| Keywords | 強相関電子系 / 磁性 / 量子相転移 / フェルミ面 |
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| Research Abstract |
高圧下で超伝導を示す遍歴電子強磁性体UGe2について、圧力19.8kbar、磁場17.5T、低温0.3Kまでの電気抵抗測定を行った。
主要な結果は以下の通り。
(1)詳細な圧力-磁場相図を決定した。過去の文献と比較して、相境界の圧力依存性は定性的にはよく一致するが、転移磁場には顕著な試料依存性がある。
(2)磁場誘起相転移が存在しない低圧力領域で、電気抵抗のT^2の係数Aの圧力、磁場依存性を検討すると、通常のスピン揺らぎの理論(SCR理論)では理解出来ない。
(3)モーメントの大きい強磁性相で、電気抵抗のT^2の係数Aは、単一のパラメーター(B-Bx)だけの関数であり、近似的に、A^-(B-Bx)^(-1/2)のべき乗則が成立する。ここで、Bは外部磁場、BxはPxより高圧側ではモーメントの大きい強磁性相からモーメントの小さい強磁性相への転移磁場であるが、そのような転移の存在しないPxより低圧側では適当な負の値を取る。
(4)上記のBxは、Pxより低圧側の負の値から、Pxより高圧側の正の値へと、圧力とともにほぼ直線的に増大する。
(5)Bx直上での、電気抵抗の温度依存性は、スペクトルにギャップを持つ励起による伝導電子の散乱が電気抵抗に寄与している事を示唆する。
これらの結果は、UGe2の相図、超伝導を説明する理論にとって重要な指針を与えるものである。
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