2007 Fiscal Year Annual Research Report
半導体表面の水素ブリスタリングの動的特性解明とナノ加工への応用
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17560025
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| Research Institution | Aichi Institute of Technology |
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Principal Investigator |
岩田 博之 Aichi Institute of Technology, 工学部・電気学科, 講師 (20261034)
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| Keywords | 水素イオン注入 / スマートカット / 透過型電子顕微鏡 / RBS / ブリスタリング / 結晶欠陥 / 格子欠陥 / ナノデバイス |
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| Research Abstract |
(1)基礎発現メカニズムの解明:
高濃度水素イオン注入によるダメージ、特に結晶欠陥の性状・方位・分布を透過型電子顕微鏡観察から評価し、薄膜切り出し形状・深さとの関連性を詳細に調べた。特にドーズ量・ドーパント種・キャリア濃度・イオン注入温度による違いを比較し,欠陥層内の深さ方向欠陥密度分布の動的差異を明らかにした。
(2)ブリスタリングの動的観察:
その場加熱観察ホルダーを装備した光学顕微鏡による表面ブリスタリングと局所的フレーキングの面積・深さ・温度の動的観察を行った。(1)の成果と合わせ剥離現象発現時の欠陥挙動を明らかにした.
(3)SiCへの応用:
6H-SiCに対して透過光を用いて光学顕微鏡観察を行った.加熱時のボイド等の凝集など動的挙動が観察された.レーザー顕微鏡を新たに使用し表面の微細な凹凸を検出した.
(4)他の手法への展開:ラザフォード散乱(RBS)分光法による欠陥分布評価から,注入温度依存性ドーパント量依存性がほぼ終了した度が確認できた,反跳原子検出法(ERDA)による水素分布検出の有効性を確認し水素濃度分布の評価を開始した.次年度の準備として顕微鏡内にて試料に微少応力をかける装置の開発を進めている.
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